2009-11-05
突破30微米瓶頸 8層封裝僅厚0.6mm
SAMSUNG Multi die堆疊封裝技術
文: Goofy Ko / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 Samsung

快閃記憶廠商 SAMSUNG 4 日宣佈,最新推出全球最薄的 Multi die 堆疊封裝技術,能夠把將 8 顆快閃記憶體晶片壓層疊封裝在一顆僅得 0.6mm 的晶片之內,比較目前市場常見的 8 層封裝技術所需厚度降低一半,尤其可針對手機和移動裝置產品之中,在加入超薄大容量快閃記憶體晶片時,其體積仍可維持輕巧。

 

最新研發的 0.6mm 晶片採用 8 層封裝,內含包括八個完全相同的模具,採用 32nm 工藝,內建 32 十億位元(千兆 ) NAND 快閃記憶體晶片,每層晶片的實際厚度僅為 15 微米,並提供 32 千百萬位元組 (GB) NAND 解決方案。

 

據 SAMSUNG 指出,由於一般的層疊封裝技術在小於 30 微米時,很大機會無法承受外部壓力,但透過 Multi die 堆疊封裝技術,其關鍵之處在於突破了傳統技術中每層厚度不能低於 30 微米的瓶頸,令封裝晶片可在 30 微米的厚度底下實現雙倍容量。

 

據了解, Multi die 堆疊封裝技術原針對 32GB 快閃記憶體顆粒而設,主要是把 8 顆 30nm 工藝 32Gb NAND 快閃記憶體核心,透過層疊封裝在一顆晶片內,令每層晶片的實際厚度僅為 15 微米,使最終封裝完成的晶片達至 0.6mm 的厚度,估計如使用在手機和移動裝置中,可以減省達 40% 的存儲模組空間,間接使未來推出的手機和移動裝置有更輕巧的設計空間。

 

 

SAMSUNG Multi die

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