2010-11-25
DDR3 2GB合約價較高位跌近46%
預期將持續下跌至明年Q2才會見底
文: Jack Choi / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 DRAMeXchange

市場調查機構  DRAMeXchange 25 日發表最 DRAM 調查報告,指出 DDR3 2GB 合約價格自 2010 年自上半年高位過後,其跌勢一直未有停止,截至 11 月上旬,其合約均價更跌至 25 美元,與高位比較下跌幅接近一半,同時, DRAMeXchange 更預期至年底前, DDR3 2GB 合約價格更有望持續下跌至接近 20 美元。

 

據 DRAMeXchange 調查報告指出,自 2010 年自上半年的 46.5 美元高位後, DDR3 2GB 合約價格一路持續下跌,其中由開始已由 9 月的 40 美元至 10 月下跌至 30 美元,而截至 11 月上旬, DDR3 2GB 合約價格更跌至 25 美元,與今年高位相比跌幅達 46% 。

 

主要原因是由於市道不境氣所影響,令記憶體於傳統旺季需求仍不暢旺,加上 DRAM 產出方面,除了 Samsung 基於製程優於其他同業而能夠有較佳表示外,其他廠高因為浸潤式機台移入時間集中在下半年,在產出量於第四季大增的情況下,使供應量亦隨之大幅增加,在 DRAM 廠商有銷貨上的壓力下,逼使到合約價進一步下調。

 

據 DRAMeXchange 估計,由於 DDR3 2GB 表現仍然不明朗,因此預期年底前合約價格仍有下跌空間,而且更有望持續下跌至接近 20 美元,即按季度跌幅近 30% 。

 

由於業界預期 DRAM 價格仍會出現大幅下跌,因此不少 DRAM 廠已紛紛對未來資本支出轉趨保守,其中據 DRAMeXchange Samsung Fab16 建設將會因應未來市場狀況再作調整,而不少台系廠商會把資本支出減低約 20% 至 160 億新台幣。日系廠商 Elpida 更宣稱將進行減產標準型 DRAM 月產能 6 萬片,或降低日本廣島廠標準型 DRAM 的投片量。此外,有傳 Hynix 因 44nm 良率不佳,影響第三季及第四季的產出,令記憶體廠商彌漫著一片陰霾氣氛。

 

展望 2011 年, DRAMeXchange 預期 2011 年 DRAM 產出全年成長在廠商加速製程轉進下仍可達 50% ,其中按各家的製程轉進狀況作預估, Samsung 35nm 製程預計明年下半年將超過 50% ,同時 Hynix 、 Elpida 、 Micron 等均預計明年第二季末量產 3Xnm 技術,而台系廠則於明年加速轉進 4xnm 以目標,令生產成本再降低,以填補 DRAM 跌價的影響。預期, DRAM 價格可望在明年第一季或第二季見底,下半年市場價格轉趨平穩。  

 

40nm 2Gb DDR3

 

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