2010-12-16
受Toshiba日本廠房電壓不穩影響
NAND Flash明年1、2月或出現短缺
文: Goofy Ko / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體

針對 NAND Flash 12 月上旬價格走勢,市場調查機構 DRAMeXchange 16 日發表有關調查報告,據報告指出,雖然下游客戶年終假期備貨高峰期已過,但由於部份廠商因記憶卡和 UFD 庫存下降,加上 Toshiba 廠房出現電壓故障,令 NAND Flash 明年初的供應減少,為補充貨源部份廠商在 12 月上旬出現小量補貨,使 NAND Flash 價格開始出現止跌回穩的跡象。

 

據了解,由於上週 Toshiba 位於日本四日市的廠房曾出現電壓不穩而影響生產,因此市場預期明年初 NAND Flash 供給量將會減少,部份廠商為了減低屆時貨源供不應求引起價格上漲,導致成本上升的影響,因此提早於 12 月上旬開始作出小量補貨,其中主流 MLC NAND Flash 合約價格呈現止跌反彈約 3-11% 。

 

經廠商了解後,據 Toshiba 表示,初步估計明年該廠區於 1-2 月份的 NAND Flash 產出量將有可能減少達 20% ,需待 3 月份才能回復到正常的產出量,因此預期由明年首季預期供過於求的 NAND Flash 市況,很有可能轉為供不應求的狀況,同時,據 DRAMeXchange 估計,受是次電壓不穩影響,假如其他供應商未有增加產出,將會令全球 NAND Flash 供應的減少量最多達 5% 。

 

因此部份廠商立即作出相應步署,由於提早於 12 月上旬開始作出小量補貨,令 NAND Flash 合約價受到激勵,令 NAND Flash 合約價可望反彈,不過價格續航力需視聖誕假期 NAND Flash 相關產品的銷售、中國農曆年前客戶庫存回補需求,以及來年首季平板電腦與智慧型手機上市表現才見明朗。

 

NAND Flash

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