2011-01-18
受平板電腦熱潮帶動 加上跳電影響
NAND Flash 1月上旬價格止跌反彈
文: Gary Ng / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 DRAMeXchange

市場調查機構 DRAMeXchange 18 日發表最新 NAND Flash 市場報告,指出由於 12 月上旬 Toshiba 跳電意外事件的影響,令下游記憶卡客戶在 1 月份市場將發生供貨縮緊的情況,令到 NAND Flash 合約價未能按市場原先預期在年終備貨高峰期過後開始回軟,使 NAND Flash 合約價在 12 月份最終出現明顯止跌反彈狀況。

 

由於早前 Toshiba 位於日本四日市的廠房曾出現電壓不穩而影響生產程序,因此市場預期明年初 NAND Flash 供給量將會減少,下游廠商免屆時受貨源供不應求引起價格上漲影響,提早於 12 月上旬開始作出補貨。

 

同時,受惠於平板電腦和智能手機 OEM 廠商訂單充裕,令 1 月上旬 NAND Flash 的供貨呈現偏緊的狀況,據 DRAMeXchange 表示, NAND Flash 合約價未有按市場原先預期在年終備貨高峰期過後回軟,並出現明顯止跌反彈,其中 1 月上旬主流 MLC NAND Flash 合約價上漲 2-5% 。

 

記憶卡方面,由於記憶卡客戶在年終假期的銷售狀況大致符合市場預期,預期庫存補貨需求將會維持良好,在中國農曆年前將可望持續並使價格小幅上漲或持穩,但中國農曆年過後,預期憶卡客戶採購需求將受到淡季效用影響而轉弱,短期未來需視乎 OEM 系統客戶 2 月份後會否增加訂單,才能彌補記憶卡及 UFD 市場的淡季效應。

 

展望未來,據 DRAMeXchange 預期,第二季度系統客戶的 OEM 訂單仍會維持平穩,由於高性能高容量移動裝置要到下半年才會正式上市,雖然第一季 NAND Flash 市場仍會出現淡季不淡的情況,並且價格有機會出現小幅反彈,但第二季卻會維持傳統淡季型態,預期 NAND Flash 價格於第二季出現下跌。假如下半年先進國家經濟持續復甦,加上高性能高容量的智能手機、平板電腦及可攜式 PC 陸逐推出市場, NAND Flash 價格才可望在第三季上跌反彈。

 

此外,預期 2011 年 NAND Flash 市場維持在供需平衡的狀況,但價格將會受季節性因素影響,而且更會比較 2010 年來得明顯,加上 2011 年 NAND Flash 製程轉進而令成本下降,使價格走勢進一步下跌,據 DRAMeXchange 預期, 2011 年 NAND Flash 價格將會出現約 29% YoY 跌幅,並高於 2010 年的 15%YoY 跌幅。

 

NAND Flash

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