2011-02-15
DRAM合約價落底反彈趨勢確立
預期輕微回氣後將越趨平穩
文: Jack Choi / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 DRAMeXchange

DRAM 價格經過去年大幅度下降後,於 2011 年 1 月開始逐漸見底,並於剛過去的農曆新年前反彈回升。據市場調查機構 DRAMeXchange 表示,二月上旬合約價落底反彈趨勢確立,其中 DDR3 4GB 合約價錄得漲幅約 3.33% ,同時,現貨市場 DDR3 顆粒價格於農曆新年前上漲逾 20% ,加上二月中開始 DDR3 低價合約均價呈現上漲走勢,將有助於後續 DRAM 合約價格的反彈。

 

據市場調查機構 DRAMeXchange 15 日發表的 DRAM 二月上旬報告指出,自去年第四季合約價格下跌 50% 後,今年開始合約價格逐漸接近底,隨著一月份合約價跌幅縮小,二月上旬合約價落底反彈趨勢確立,其中 DDR3 2GB 合約均價低位漲幅約 3.23% , DDR3 4GB 漲幅約 3.33% ,成交價由 30 美元 (2Gb $1.72) 上漲至 31 美元 (2Gb $1.78) 。

 

儘管 Intel 於 1 月 31 日發生 Sandy Bridge 晶片組問題,但據 DRAMeXchange 預估表示,其問題對 DRAM 需求衝擊不大,而且二月中開始修正後的新晶片組將陸續出貨,亦讓合約價格的議定開始有止跌反彈的走向, DDR3 低價合約均價呈現上漲走勢,將有助於後續 DRAM 合約價格的反彈。

 

同時,中國市場剛於農曆新年前夕出現強勁補貨需求,而且亦引發投機性買盤, DDR3 1333Mhz 2Gb 顆粒短短數日大漲逾 24% ,其價格上升至 $2.27 美元價位,最高更見 $2.32 美元高位。雖然稍後價格輕微呈現下跌,但據 DRAMeXchange 表示,小幅下跌為舒緩現貨大漲後的氣氛作用,而且更有助進一步刺激買氣。隨著二月上旬合約價格開出,落底訊號確定將有助於 DDR3 現貨顆粒價格的持穩。

 

另一方面, DRAMeXchange 早前作出 2011 年全球 PC 成長調查,據報告指出,成長率約 10% ,其中預期單機平均記憶體搭載量將成長至 3.9GB 。此外,智慧型手機與平板電腦的興起,亦帶動行動式記憶體的需求,預期記憶體容量將由 1GB 起跳, 2011 年預估需求將高達 100% YoY 成長。

 

再加上雲端服務急速擴張,預期 2011 年雲端伺服器應用將出現爆發性成長,令伺服器用記憶體的平均單機搭載量將有機會從 20GB 提升至 32GB 以上,伺服器 DRAM 成長亦有 50%-60% YoY 的成長力道。加上主流級繪圖卡記憶體需要日漸加強,亦有助整個 DRAM 產業發展提升。

 

據 DRAMeXchange 預期,未來整個 DRAM 產業將由生產標準型 DRAM 為大宗的思維逐走向多元化發展, DRAM 商廠應以持續穩定獲利為主要目標。

 

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