2011-04-12
DRAM四月上旬合約價上升6%
受地震影響 廠商將先滿足Flash產品
文: Gary Ng / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 DRAMeXchange

市場調查機構 DRAMeXchange 11 日針對 DRAM 合約價走勢發表調查報告,表示 DRAM 四月上旬合約價再度上揚,主要是由於上月日本地震令矽晶圓吃緊影響 DRAM 供應鍊,加上近期傳出部份 DRAM 廠在 40nm 製程良率出現問題,令 DRAM 出產受到影響,在 PC- OEM 廠商加強備貨下,令合約價得以攀升。

 

據 DRAMeXchange 指出,受到上月日本關東地震影響,當地矽晶圓廠商雖然目前正釋出手上庫存,令正常供應可維持一個月以上,但如不能在近期恢復正常運作, DRAM 供應鍊始終會受到衝擊,使其產出受到影響,因此 PC-OEM 廠商在供貨穩定的疑慮下,加強了備貨意欲。

 

同時,近期有部份 DRAM 廠在 40nm 製程良率出現問題,使 DRAM 產出再出現變數,在種種因素之下,部份 PC- OEM 廠決定拉高庫存水位,與 DRAM 廠議定合約價時亦接受較高的價格,令到四月上旬 DRAM 合約價攀升。

 

目前, DDR3 2GB 四月上旬合約均價達到 $18 美元,升幅約為 5.88% ; DDR3 4GB 四月上旬合約均價達到 $35 美元,升幅約為 6.1% ,平均每顆 2Gb 顆粒價格為 $2.03 美元。

 

據 DRAMeXchange 調查指出,日本東北大地震過後,不少 DRAM 生產商已開始將部份 DRAM 產能轉向 NAND Flash 產品,其中包括業界龍頭 SAMSUNG ,顯見 NAND Flash 產品後市比 DRAM 產品更為看好,而據 DRAMeXchange 預期,假如矽晶圓短期內出現短缺,廠商將會以將滿足 Flash 產品為優先考慮。

 

此外,日系的 Elipda 也已暫緩廣島廠中標準型 DRAM 生產,目前僅保留附加價值高的行動式記憶體生產及部份代工業務,並將標準型 DRAM 生產全數轉交子公司瑞晶及代工廠力晶負責,而據 DRAMeXchange 指出,瑞晶將加速 38nm 及下半年 32nm 製程轉進,即使面對投片的不確定性,亦能保持產出量不變,同時力晶方面也將拉高 45nm 製程投片與毛利較高的代工業務比例,確保獲利能力不受地震影響。

 

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