2011-12-07
達成20nm 128Gb MLC NAND Flash
僅指尖大的封裝 8片128Gb組成1Tb容量
文: Spike Lam / 新聞中心
文章索引: IT要聞 IT港聞 記憶體 INTEL

Intel 與 Micron 7 日共同宣佈成功推出全球首款 20nm 制程 128Gb MLC NAND 晶片,同時更成功把 8 顆晶片封裝於指尖大小的晶片上,達成 1Tb 資料容量的 NAND Flash 顆粒,此舉將進一步擴大雙方在 NAND Flash 生產技術上的領導地位,兩家公司同時宣佈正式量產 20nm 64Gb MLC NAND Flash 產品, 2012 年 1 月向業者提供 20nm 128Gb MLC NAND Flash 樣本,預期於 2012 上半年正式上市。

 

單片容量達 128Gb 的全新 20nm 制程 MLC NAND 晶片是由 Intel 與 Micron 合資的 IM Flash Technologies 成功開發,並同時實達成在指尖大小的封裝中,集成 8 塊 128Gb 單片 NAND 晶片實現 1Tb = 128GB 資料存儲容量的 NAND Flash 顆粒,其足以把所有圖書館內的學術著作記紀在內。

 

與 Intel 及 Micron 現有的 20nm 制程 64Gb NAND 晶片相比,全新 128Gb NAND 晶片在存儲容量和性能方面均提升了一倍,同時符合高速 ONFI 3.0 規範,傳送速率可達 333 MT/s ,提供更經濟及高性能的 SSD 存儲解決方案,以滿足 Tablet 、 Smartphone 及大容量 SSD 的設計需求。

 

據 Intel 和 Micron 透露, 20nm 制程工藝技術成功關鍵在於創新的可擴展性存的平面儲單元結構,集成首個 High-K Metal Gate 金屬柵極堆疊,成功打破了標準 NAND 快閃記憶體浮置柵極單元的擴展限制,達成高密度、低成本 20nm 制程 NAND Flash 產品。

 

現時, Intel 與 Micron 已正式量產 20nm 64Gb MLC NAND Flash 晶片,並會在 2012 年 1 月向業者提供 20nm 128Gb MLC NAND Flash 樣本,並於 2012 年上半年正式上市。

 

 

20nm
全球首款 20nm 制程 128Gb MLC NAND 晶片

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