2012-07-19
針對行動設備全面提升效能表現
Micron Phase Change Memory正式量產
文: Jack Choi / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 Micron

Micron 17 日宣佈針對行動設備推出 Phase Change Memory(PCM) ,並已正式進行量產,是全球首家提供批量生產的 PCM 解決方案的廠商,針配合行動設備市場的需求,可增強行動設備的開機時間,以及簡化軟件開發和增強覆蓋能力的表現,而且也提供低功耗和高可靠的特性。

 

Phase Change Memory 採用 45nm 製程,並包含 1 個 1Gbit PCM 顆粒,以及 1 個 512Mbit LPDDR2 DRAM 組成堆疊封裝而成,符合 JEDEC 行業標準,優化共享 LPDDR2 的和 PCM 之間的接口,利用更成熟的技術和封裝能力,以滿足需要更高的性能及擴大存儲需求。

 

據 Micron 表示, Phase Change Memory 可提供快速開機表現,而且 PCM 擁有低功耗特性,亦間接增加了行動設備的電池續行力,進一步提升行動設備的效能表現。同時, PCM 在斷電後不會丟失資料,因此亦可作快閃記憶體之用。

 

其中,亦指出其親密合作夥伴之一的 Intel 已表明支持,並持續參與以及在主要設備製造中合作,而據 Intel 移動通信部門副總裁 Stefan Butz 表示,作為移動通信產品和技術的領先者, Intel 從 Micron PCM 技術中看到巨大的價值。

 

據了解, Phase Change Memory 將主要應用於著重功能為主的手機市場,而未來亦將計劃進一步擴展至應用於全球普及使用的智慧手機和平板電腦領域之中。

 

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