2008-02-28
AMD達成超紫外線晶片測試
未來將成為晶圓廠標準制程
文: John Lam / 新聞中心
文章索引: IT要聞 AMD 半導體

AMD 宣佈與研發夥伴 IBM 共同合作,運用超紫外線 (Extreme Ultra-Violet , EUV) 微影技術,針對整個晶片中最關鍵的第一層金屬連結進行測試,並成功生產出作業測試晶片,透過「全面性」的超紫外線微影技術,成功整合至大小為 22 公厘 X33 公厘之 45 奈米節點測試晶片製程。

 

據 Bruno La Fontaine 博士表示, AMD 的超紫外線微影技術在未來數年,在半導體製程上的應用具十足的潛力,業界廠商因晶片體積縮小而受惠。雖然在業界可運用超紫外線微影技術量產之前,仍有許多挑戰需要克服,但是 AMD 已經證明該技術可以成功地與半導體晶圓製程結合,完整產出晶片上的第一層金屬互連層。

IBM 結構研究經理 David Medeiros 表示,微影技術如同微處理器一樣重,如何將含有數百萬個電晶體集成晶片的高度複雜設計,移轉到晶圓片上的技術,將是未來的重大挑戰,而晶圓片上的多重層級,是建立一個晶片的必要條件。

 

David Mederios 進一步指出,隨著晶片工程師持續在晶片上加入嶄新功能,同時增強晶片的效能表現,讓體積愈來愈小的電晶體可在特定的區域中放置更多的電晶體,要如何製造小型電晶體與連接電晶體的金屬線,與用來投射晶片設計在晶圓片上的光波長度有直接關係,超紫外線光刻顯影技術採用 13.5 奈米的波長,大幅縮短現今的 193 奈米微影技術,持續推動傳統晶片功能與體積間的可調整性。

現時,位於德國德勒斯登的 AMD36 號廠,首先採用 193 奈米浸潤式微影量產技術,進行晶片測試,再將測試晶片運送至位於紐約州阿爾巴尼的 IBM 奈米科學與工程學院 (College of Nanoscale and Engineering , CNSE) 之研發中心, AMD 、 IBM 與其他合作夥伴運用由 ASML 、 IBM 、與 CNSE 合作建置的 ASML 超紫外線微影掃描器,於德國製造的電晶體間進行第一層金屬相連物的圖樣模型。

 

在完成圖樣成型、蝕刻與金屬物沉澱等製程後, AMD 對超紫外線微影設備架構進行電子測試,發現電晶體的特徵與僅使用 193 奈米浸潤式微影量產技術進行的晶片測試結果相符。這些晶圓片將再透過標準的晶圓製程,增加額外的金屬互連層,進而使大型的記憶陣列亦可進行測試排程。

驗證超紫外線顯影技術量產可行性的下一步驟,是將此技術從金屬互聯物層的應用,擴展到所有層級,以證明超紫外線微影技術可製造一個完整的作業微處理器,預期國際半導體技術路線圖將可望於 2016 年達到 22 奈米半間距節點的標準,因此超紫外線微影技術必須在 2016 年前達到可量產的標準。

 

Wafer

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