2012-09-25
3D FinFET電晶體 大幅減低電流流失
GlobalFoundries 14nm-XM制程架構
文: Jeff Lau / 新聞中心
文章索引: IT要聞 半導體

針對行動裝置市場,提供更細小的面積空間以及減低所需功耗,讓行動裝置體積得以減少,以及延長電池續航行力,半導體廠商 GlobalFoundries 日前宣佈將採用 14nm-XM 制程架構,並首次引入 3D FinFET 電晶體,為立體 (SoC) 晶片設計,預期將於 2014 年正式量產。

 

14nm-XM 制程架構中的 XM 代表「極端流動性」,結合了 20nmLPM 和 14nm FinFET ,透過開發已在進行中的 20nmLPM 技術,利用較成熟的 20nm-LPM 平穩地遷移到 FinFET 技術中。

 

據 GlobalFoundries 表示, FinFET 的架構需要傳統 3D 晶體管的設計,以及轉動在其一側的導電通道,進而達致在一個 3D 的結構所包圍的柵極,用於控制電流的流動,透過 3D 晶體管減低電流流失,令行動裝置電池壽命更長久。

 

同時, GlobalFoundries 亦進一步指出,透過 14nm-XM 制程架構對功耗的優化,能夠比 20nm 2D 電晶體技術改善 40-60 %的電池續航力表現,而且在相同電壓下可提升 20-55% 效能表現,利用 14NM-XM 架構的性能和功耗之間取得理想的平衡,同時盡量減少晶片尺寸和成本。

 

此外, GLOBALFOUNDRIES 針對在 FinFET 加工技術上,宣佈與 ARM 達成合作考議,共為 ARM 處理器提供優化的 SoC 方案,將共同優化 ARM Cortex-A 系列處理器,並推動生產 IP 平台,以促進快速遷移到 3D FinFET 晶體管技術。

 

14nm-XM

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