2008-03-04
Micron與Nanya共同研發50nm DRAM
Stack與Trench陣營不再壁壘分明
文: Kopo Ko / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 DRAMeXchange

昨日 Micron 宣佈將與 Nanya 共同開發 50nm 或以下的 DRAM 技術,並計畫在往後數個月間針對此合作計畫簽訂合約,此一合作案所象徵的意義,將是 DRAM 技術發展兩大陣營堆疊式( Stack )與溝槽式( Trench )的不再分明,而兩者的市佔率也將隨著陣營間的交互合作進而呈現變化。

2008 年 2 月 25 日全球第二大 Qimonda 公開宣佈技術開發藍圖,除了採用新的 Buried Wordline 技術及今年進行 58nm 轉進,更進一步指出 2009 年下半將轉進 46nm ,而其技術更可往 30nm 及 4F2 邁進。在 Qimonda 發表新技術開發藍圖之際,恰巧在 Micron 與的技術合作開發備忘錄公布的前一周,也讓市場推測奇夢達的宣示是否隱藏著更深層的意義。

市調機構 DRAMeXchange 所公佈的 2007 年營收排行, Nanya 與 Micron 陣營的市佔率,與目前南亞與奇夢達的陣營比例並無顯著的差別,然而未來在堆壘式與溝槽式陣營的合作模式出現之後,隨著此合作的發展,相信其市佔率的比率也將會呈現變化。

在 2006 年溝槽式陣營的市佔率最高達 23% , 2007 年在所有 DRAM 廠競相擴廠下,滑落至 18% 左右;而未來若新的合作模式出現,以及堆壘式陣營相互的競爭,溝槽式陣營的市佔率有進一步下滑的隱憂。

目前 DRAM 產業仍區分為溝槽式及堆疊式兩大陣營 Samsung Electronics 、 Hynix 、 Micron 、 PoMOS 、 PSC 等,均還是延用堆疊式技術,其餘如 Qimonda 、 Nanya 與 Winbond 電則為溝槽式。

 

DRAM

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