2012-10-17
4GB模組低價跌破16美元
顆粒價格甚至已跌破現金成本
文: Jack Choi / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體

受環球經濟影響加上需求疲弱, DRAM 價格近月來持續下跌,據市場調查機構 DRAMeXchange 17 日最新發表的調查數據顯示,按目前 PC ODM 廠商出貨量表現觀察,預期今年 PC 出貨高峰期已過,加上十月份行動電腦出貨量亦正逐步下滑,使得 DRAM 需求量亦逐月變小,其中在剛過去的十月上半月中, DRAM 價格再度下跌, 4GB 模組低價更跌破 $16 美元,顆粒價格已經逼近甚至跌破現金成本,加劇調節產能的逼切性。

 

據報告指出,十月上旬 4GB 模組均價跌至 16 美元,跌幅為 1.54% ,低價破 16 美元一度跌至 15.75 美元水平,換算 2Gb 顆粒僅 $0.83 美元價格,幾乎與現貨顆粒價格同價。 2GB 模組與九月下旬合約價相同,均價仍維持在 $9.25 美元水平,顯示在模組價格跌無可跌情況,而廠商齊已策略性的將出貨集中在高容量 4GB 模組,希望在需求低迷時帶動單機搭載容量。

 

按目前市況而言,各 DRAM 廠的顆粒價格已經逼近甚至跌破現金成本,在需求遲遲未見起色下,供過於求狀態嚴重,但雖然過去受到 PC 換機潮的帶動影響下, DRAM 供應商曾緊腳步做製程轉進,以求成本結構的最佳化,並由 2009 年的 60nm 直到 2012 年的 30nm ,每年 幾乎是以 1 ~ 1.5 世代做交替,但受到總體經濟持續低迷的影響, PC 出貨量逐年衰退,再加上近年來智慧型手機與平板電腦發展, PC 的換機週期已被拉長,廠商對 PC DRAM 市況計劃變得審慎。

 

其中據市場機構分析指出,對於 2013 年生產策略規劃中,即使作為業界龍頭的 Samsung 對資本支出以及位元成長也保持高度謹慎態度,除了放緩 28nm 轉進時程之外,在 EUV 時代前僅計畫再轉進至 25nm ,並且將先進製程優先導入行動式記憶體,進一步減輕 PC DRAM 的重心比重。

 

供應方面,過去的製程演進換來大量增產,造成近年供過於求市況持續,在 DRAM 產值不斷萎縮下,絕大部分的廠商遭受嚴重虧損,其中台系廠商最為嚴峻,除需要加快製程演進速度以減低成本外,部份廠商更要將 PC DRAM 產能陸續移出,其中南科將會淡出標準型 DRAM 的供給,轉進利基型記憶體及代工業務,力晶標準型記憶體出貨也已大幅下修,預估 2013 年的位元供給增長僅有 22.2% ,為歷年來最低。

 

此外,在未來製程發展中, Samsung 和 SK Hynix 等業界領先者主流製程仍以 30nm 為主,最先進的 20nm 由於設計難度甚高,預估要明年第二季後才有過半的產出量,但預期會以伺服器記憶體與行動式記憶體為主,標準型 DRAM 的生產反而會以 40 與 30nm 持續供應,而 Micron 和 Elpida 則積極進行 30nm 的製程轉進。

 

目前 DRAM 產業仍是完全競爭市場,在嚴重供過於求的情況下,決定價格的控制權掌握在買方手上,現時無論是合約或現貨市場中, 4GB 模組價格均已跌到歷史新低,而且難以看到復甦跡象,面對價格已跌無可跌的狀態,正加劇調節產能的逼切性。據 DRAMeXchange 指出,長遠而言各競爭廠商應一致性的調節產能,並縮小資本支出待 2013 年 DRAM 產業回歸健康。

 

DRAM

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