2012-12-20
12月上旬的DRAM合約價小幅回升
現貨市場顆粒供貨吃緊升幅仍將持續
文: Jack Choi / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體

繼 11 月下旬 DRAM 合約價格小跌後, DRAM 最新合約價受現貨價格影響,據市場調查機構 DRAMeXchange 最新發表的 12 月上旬的 DRAM 合約價格走勢報告指出,近期 DRAM 模組價格呈現上揚勢態,其中 4GB 記憶體模組小幅上漲 1.64% ,而 2GB 模組亦回升 1.71% 。據了解,由於短期內現貨市場顆粒供貨吃緊, DRAM 模組價格可望持續攀升。

 

據 DRAMeXchange 最新發表報告顯示, 12 月上旬 DRAM 模組價格回升,其中 4GB 模組均價回到 $15.5 美元水平,升幅約 1.64% ,模組均價同樣回升至 8.9 水平,升幅約 1.71% 。 DRAMeXchange 指出,雖然回升幅度仍小,但在需求端持續低迷的情況下能夠停止跌勢,已可看到 DRAM 在庫存調節後出現健康勢態。

 

同時,在供給端方面,目前各家 DRAM 廠正在執行製程轉進, Samsung 和 SK Hynix 由原先供貨的 3X nm 製程正逐步轉至難度較高的 2X nm 製程,而 Micron 亦進一步提升 3X nm 的生產數量,由於現正處於新舊製程世代交替的銜接點,現貨市場顆粒供貨吃緊,因而帶動價格往上攀升。

 

早前,現貨市場 2Gb 顆粒單價普遍呈現跌勢,在 10 月下旬最低點來到 $0.817 美元,尤慶至 12 月開始回升,目前現貨價格仍是合約市場領先指標,再加上 9 月份各廠的減產效應陸續發酵,將生產的重心移向行動式記憶體下,據分析機構預期,在廠商們正減產下,供需產量將逐步趨近平衡,標準型記憶體持續了半年以上的跌勢可望暫時休止。

 

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