2013-05-02
效能表現提升超過30%、功耗減少20%
Samsung推出全新速4GB LPDDR3 DRAM
文: Jack Choi / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 Samsung

Samsung 為針對手持式行動裝置市場,提供高速低功耗應用,宣佈推出業界第一款超高速 4GB LPDDR3 行動記憶體顆粒,採用 20nm 製程,聲稱可媲美個人電腦中使用的標準型 DRAM 的性能水平,可提升超過 30% 效能表現,同時減低 20% 功耗。

 

全新 4GB LPDDR3 行動記憶體顆粒採用 20nm 製程生產,數據傳輸速度高達 2,133 Mbps ,比較標準 LPDDR2 行動記憶體顆粒提供的 800Mbps ,其數據傳輸速度為兩倍以上,一秒同時傳輸容量高達 17GB 的 Full HD 影片到 Samsung 處理晶片,實現流暢而且無縫顯示全高清視頻,特別適用於現時 5 吋或更大尺寸屏幕的手持式行動裝置使用。

 

除了擁有比較標準 LPDDR2 行動記憶體顆粒更高速的傳輸效能外,全新 20nm 4GB LPDDR3 行動記憶體顆粒也擁有更低功耗的表示,如以 30nm LPDDR3 顆粒比較,其功耗可減少約 20% ,令手持式行動裝置電池續航力可以更加耐久。

 

此外,由於採用 20nm 製程關係,令記憶體顆粒高度繼續縮減,據 Samsung 表示,採用全新 4GB LPDDR3 行動記憶體顆粒,設備製造商可以達成單一封裝高度僅 0.8mm 的封裝下,把 4 個 Samsung 新晶片組成一個 2GB 容量的單一封裝。

 

據早前市場調查機構 Gartner 指出,預測 DRAM 市場在 2013 年增長達到 29.6 億美元,當中超過 10 億美元的銷售額為行動式記憶體,佔整體 DRAM 市場約 35% 。針對目前情況,據 Samsung 指出,預期今年稍後時間會增加生產 20nm 行動式 DRAM ,以鞏固該市場的競爭力。

Samsung 4GB LPDDR3 DRAM

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