2017-02-13
追求極致記憶體性能
GALAX HOF DDR4-4000 16G記憶體模組
文: David Chiu / 評測中心


GALAX 針對推出全新 HOF DDR4-4000 16GB Kit 記憶體模組,經過人手挑選出最好的 SAMSUNG 8Gb B-Die 顆粒,預設時序為 DDR4-4000 CL19-25-25-45 2T ,配搭 Hall of Fame 標誌性的皇冠 LOGO 的白色散熱器,只為追求更強性能的超頻玩家而生。



GALAX HOF DDR4-4000 16GB Kit

 

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受惠於 Intel 新一代處理器 IMC 設計, DDR4 記憶體時脈得以進一步提升,因此 GALAX 特別針對超頻玩家市場,推出全新 HOF DDR4-4000 C19 16GB Kit ,型號為「 HOF4CXLBS4000M19SF162C 」,採用最優質的 SAMSUNG 8Gb B-Die 記憶體顆粒,再經過人手每顆 IC 篩選流程,過往只能在 LN2 極限超頻才能達到的爆發極速,現在可以在風冷下輕鬆達成。

 

GALAX HOF DDR4-4000 C19 16GB Kit 承襲了 HOF 名人當系列一貫的主題白色,鋁合金外殼並在中央位置設有 HOF 皇冠 Logo ,左右兩側加上「 Hall of Frame 」字句,雖然頂部設有白色的導光條,不過記憶體並沒有加上 LED 顆粒,因此在運作時不會發光,完全只為性能而生。

 

 

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GALAX HOF DDR4-4000 C19 16GB Kit

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( 左 ) DDR4-4000 CL19-25-25-45 2T ( 右 ) Hall Of Fame 標誌性皇冠 Logo

 

為確保記憶體模組的穩定性, GALAX HOF DDR4 記憶體特挑高體質 DRAM 顆粒,並且在出廠前進行 3 倍壓力測試,以確保系統的最佳效能表現,產品支援最新 Intel XMP 2.0 一鍵超頻功能,規格為 DDR4-4000 CL19-25-25-45 2T ,工作電壓為 1.4V ,由於記憶體運作於如此高時脈,對主機板質素要求非常高,建議用家在購買前先查詢主機板 QVL 列表,是否可支援 DDR4-4000 或以上速度。

 

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採用 10 層 PCB Layers 設計,提供更佳線路屏蔽效果,拆下散熱器後可以看到記憶體 PCB 單面合共 8 顆 SAMSUNG 「 K4A8G085WB-BCPB 」記憶體顆粒, SAMSUNG 記憶體顆粒的編號,開首的 K 代表 SAMSUNG Memory 、 4 代表是 DRAM 產品, A 代表 DDR4-SDRAM 系統記憶體、 8G08 代表容量是 8Gb (1Gb x 8) 顆粒 ,其 Refresh 時間為 64ms ,緊接編碼為 5 是 16 Banks 顆粒, W 代表工作電壓採用 SSTL_12 介面, vDD 、 vDDQ 工作電壓均為 1.2V 、 B 代表 Revision B-Die 顆粒。

 

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後面「 BCPB 」的 B 代表 96 ball FBGA 顆粒,採用 Halogen & Lead Free 環保制程 Flip Chip 封裝, C 代表為正常商用顆粒之工作溫度範圍為 0ºC ~ 85ºC , PB 代表其速度為 0.938ns 即 DDR4-2133 ,規格為 CL15-15-15 , GALAX 透過嚴謹篩選程序,打造成 XMP 規格下 1.4V 工作電壓可運作 DDR4-4000 C19 的記憶體模組産品。

 

效能測試︰

 

測試平台為 ASROCK Z170 OC Formula 主機板配搭 Intel Core i7-6700K 處理器及 GALAXY GeForce GT630 繪圖卡 ,作業系統則採用 Microsoft Windows 10 ,每一組記憶體設定必要經過 AMT64 測試檢定才能當測試成功。

 

AMT64 (Advanced Module Test 64Bit) 測試是現時各大記憶體模組廠商採用的測試標準,用作檢出模組顆粒品質及相容性的硬體測試卡,透過 12 個不同的資料讀寫 Loop Pattern 測試,可以分辨出模組無法通過測試的顆粒,是工廠級的記憶體測試。

 

AMT64

 

GALAX 「  HOF4CXLBS4000M19SF162C 」屬於「 HOF 」 DDR4 系列的終極規格,在預設工作電壓下,能穩超上 DDR4-4133 CL17-21-21 2T 並通過 1 小時的 AMT64 測試。由於 DDR4-4133 已是記憶體的最高倍頻,如果要突破 DDR4-4133 或以上,需要提升 bclk 才能達成,而且受限於 CPU 的 I/O 及 IMC 體質,因此測試主要以記憶體時序入手。

 

 

在不加電壓下可以穩上 DDR4-4133 CL17-21-21 2T ,由於 SAMSUNG 顆粒非常吃壓,就算 1.5V 作 24 X 7 長跑均沒有問題,如果能額外安裝記憶體模組散熱風扇,效果會更佳,測試能穩上 DDR4-4133 CL15 並且有明顯的性能增長,要達成 CL14 則需要 1.55V 。

 

 

 

售價︰ HK$ 未定、可訂購 (DDR4-4000 CL19 16GB Kit)

查詢︰ Felton (2273-8393)

文: David Chiu/評測中心
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