2013-07-17
Micron為16nm工藝技術進行測試
2013 年第4季度將進入量產
文: Jack Choi / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 Micron

Micron 17 日宣佈正式為新一代 16nm 工藝技術進行測試,可支援目前業界最小的 128Gb MLC NAND 快閃記憶體,是目前 NAND 以及半導體設備中先進的工藝技術,能夠進一步加強 Micron 在開發儲存技術上的競爭力,並實現該公司提供先進半導體解決方面的遠景。

 

據 Micron 表示, 128 Gb MLC NAND 快閃記憶體目前應用廣泛,主要應用在消費型固態硬碟、隨身碟、記憶卡、平板電腦、智慧型手機以及數據中心等,透過採用新工藝技術打造的 128Gb NAND Flash ,可在現有的多層單元設備 (MLC) 中,提供平方毫米位寬最高,而且價格最低廉的方案 ,並可在單一晶圓上創造幾乎可達 6 TB 的存儲量。

 

據 Micron NAND 解決方案事業副總裁 Glen Hawk 指出, Micron 的專門工程師 團隊致力卡創造世上最小最先進的 NAND Flash 製造技術 ,以滿足客户不斷要求在更小的規格中容納更高的容量, 新一代的工藝範點讓 Micron 能够符合這些要求, 更加讓 Micron 提升市場領先地位。

 

目前, Micron 正在與合作顆伴共同測試 16 nm 的 128 Gb MLC NAND Flash , 計劃於 2013 年第 4 季度進入量產。同時, Micron 也正開發採用 16 nm 128 Gb MLC NAND Flash 的新系列固態硬盤 ( SSD) 解决方案 , 預期將於 2014 年出貨。

 

 

Micron

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