2013-08-07
200mm面積下儲存1TB容量資料
Crossbar推出Resistive RAM
文: Jack Choi / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 其它

近期不少廠商為 NAND Flash 市場積極創新,據外電報導指出,由來美國的 Crossbar 5 日在其官方網站宣佈,自主研發一款提供大容量、高性能和非易失性存儲的 Resistive RAM 電阻式記憶體,可在 200mm 面積的晶片下提供最多 1TB 儲存容量,而且寫入效能、可靠性和耐用性也比較現時 NAND Flash 得到倍數增長。

 

據報導指出, Crossbar 研發的 Resistive RAM 電阻式記憶體採用三層式結構,相容主流的 CMOS 製造工藝,透過 3D 堆疊進一步擴大容量,每一個存儲單元會放置在橫豎交錯的互連層內,形成頂部金屬電極、中層切換媒介以及底部電極的結構。

 

透過 3D 堆疊, Resistive RAM 電阻式記憶體能夠提供比現時一般 NAND Flash 快閃記憶體快 20 倍的寫入性能,也可在 125 ℃環境下使用長達 10 年的壽命,而且功耗也較 NAND Flash 低,同時 Resistive RAM 電阻式記憶體擁有面積更細少的優勢。

 

據了解, Resistive RAM 電阻式記憶體應用習面廣泛,可適用於智慧型手機、平板電腦、固態硬碟、伺服器以及消費電子產品之中,目前正積極投入嵌入式 SoC 市場。

 

Resistive RAM

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