2013-08-15
搭載全新3D V-NAND 快閃記憶體
Samsung正式生產V-NAND SSD
文: Jack Choi / 新聞中心

Samsung 繼早前於 6 日宣佈推出採用 3D 垂直設計的 V-NAND 快閃記憶體後,最新於 13 日在其官方網站中宣佈,將推出第一款基於 3D V-NAND 快閃記憶體而成的固態硬碟「 V-NAND SSD 」,為 2.5 吋 7mm SSD 產品,主要針對伺服器器和數據中心等企業級市場應用,據 Samsung 表示產品目前正開始生產,相信不久便會正式上市。

 

V-NAND SSD 採用剛發佈的 V-NAND 快閃記憶體,記憶體採用垂直單元結構,在 3D 結構的平面細胞層垂直堆疊,在 CTF NAND 的架構中,電荷被暫時放置的非導電層的快閃記憶體中,採用矽氮化物以防止相鄰小區之間的干擾,通過使用 3D CTF 層的 NAND Flash ,使單一芯片上可提供 128 Gb 容量,透過這些技術讓 3D V-NAND 能夠提供比現時 20 nm 平面 NAND Flash 多 2 倍擴展能力,夠突破目前 NAND Flash 快閃記憶體技術的縮放比例限制,提升性能和面積比的計率,也可提升可靠性表現。

 

據 Samsung 指出,即將上市的 V-NAND SSD 分別推出 960GB 、 480GB 兩款容量版本,搭配 SATA 6Gbps 主控制器,配合 2.5 吋 7mm 規格提供更大的設計靈活性和可擴展彈性。其中, 960GB 容量搭載 64 顆 MLC 3D V-NAND 快閃記憶體,持續和隨機寫入速度提升超過 20% ,而且功耗也可降低超過 40% 。

 

此外, Samung 也表示, 3D V-NAND 能夠克服了比例超出 10nm 的障礙,為客戶提供高密度和出色的可靠性,而且也可提供超過 20% 的性能提升,以及 40% 的功耗改善。作為快閃記憶體產業先鋒, Samsung 將繼續推出差異化的綠色存儲產品和解決方案,以幫助減少能源浪費,在企業和消費者創造更大的共同價值。

 

V-NAND SSD

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