2013-08-15
實現最小128GB MLC NAND閃存設備
Micron 16nm NAND獲閃存峰會肯定
文: Jack Choi / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 Micron

Micron 14 日宣佈剛於 Flash Memory Summit 2013 ( 閃存峰會 2013) 上發表 16nm NAND 工藝技術,實現了現時 NAND 業界中最小的 128GB MLC NAND 閃存設備, 同時更獲得閃存峰會 2013 的創新產品和解決方案年度最佳獎項。

 

是次創新產品和解決方案年度最佳獎項由 Flash Memory Summit 2013 ( 閃存峰會 2013) 專家小組評估,根據應用技術獨特性,閃存技術的創新以及該技術市場意義等作為標準。

 

透過最新發表的 16nm NAND 工藝,讓 NAND Flash 可在現有的多層單元設備 (MLC) 中,提供平方毫米位寬最高,而且價格最低廉的方案 ,並可在單一晶圓上創造幾乎可達 6 TB 的存儲量。

 

據 Micron 表示,最新發表的 16nm NAND 工藝讓 Micron 延伸了市場地位,並,提供現時世界上最小的 128GB MLC 設備,並提供符合絕佳成本效益的方案,以配合消費類固態硬盤、移動存儲設備、平板電腦,超薄設備,手機和雲存儲數據中心等應用市場。

 

而據是次獎項計劃的主席 Jay Kramer 表示,今年快閃記憶體高峰會獎委員會應為 Micron 16nm NAND 技術能夠產出業界最小的 128GB MLC NAND 閃存設備,對該行業的半導體技術提供了大躍進,同時也提升了 Flash 技術價值,因此委員會不得不選擇成為最具創新性的閃存記憶體技術。

 

Micron

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