iPhone 6 Plus 128GB使用Hynix H2JTDG8UD1BMS 128 Gb NAND Flash MLC而非TLC

本帖最後由 yukashing 於 2014-11-6 11:04 編輯

http://news.mydrivers.com/1/327/327469.htm

在韓國媒體的報導中“iPhone 不僅使用了成本更低的NAND TLC FLASH,更重要的是在其控制集成電路(IC)出現了故障。”

https://www.ifixit.com/Teardown/iPhone+6+Plus+Teardown/29206

實際上,iFixit於九月拆解Phone 6 Plus時證明採用的是海力士H2JTDG8UD1BMS,雖然海力士沒有標明該NAND的存儲器控制TLC還是MLC(只歸類為E2NAND 3.0),但實際上其就是16nm NAND MLC Flash Memory(是MLC而不是TLC)





理論上MLC比TLC更耐用wor

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佢好似拆緊 16GB 喎
iPhone 6 Plus 128GB使用Hynix H2JTDG8UD1BMS 128 Gb NAND Flash MLC而非TLC

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16GB(即128Gb) 係MLC

依家有問題的係128GB 版本話係用TLC

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大陸人連Byte同bit都唔識分,
又有人信果下先好野

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GB vs Gb

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本帖最後由 palmtree 於 2014-11-6 16:13 編輯


iPhone 6 Plus 128GB 型號使用 TLC NAND Flash。



應不致死機

不過,筆者認為 Samsung SSD 出現的降速問題是在長期使用後,TLC NAND Flash 經過頻繁的寫入、刪除、讀取等動作,問題才會浮現。至於,iPhone 6 Plus 推出不到 2 個月,理論上快閃應未到寫入上限,因此這並不是 iPhone 系統死機、不斷重開機的主要成因,故還需 Apple 深入調查。不過,TLC NAND Flash 的壽命先天較 MLC NAND Flash 為短,故 iPhone 6 Plus 128GB 在使用一、二年時間後,出現問題的機會自然較一眾使用 MLC NAND Flash 的低容量為高。

- See more at: http://www.e-zone.com.hk/channel ... thash.atz8PlLH.dpuf





蘋果 iPhone 6 Plus 的確採用 TLC 顆粒!推測更新韌體即可 無須召回
http://technews.tw/2014/11/05/de ... g-bug-is-very-rare/

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本帖最後由 kyfung 於 2014-11-6 17:01 編輯

http://japan.cnet.com/news/service/35054669/23/

SK Hynixの128GバイトのNANDフラッシュ(「H2JTFG8YD1BMS」)。

H2JTFG8YD1BMS 係 512Gb MLC,估計係底面兩粒所以日本仔講128Gバイト(Byte)のNANDフラッシュ(Flash)。 部機係4.7",但係無咩理由更大更貴既plus反而要所謂慳位慳成本轉TLC。

不過最有趣係apple forum出post話hang機o個個唔用restore自己裝過d app之後已經咩事都無。成件事同咩咩MLC/TLC基本上無關。

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本帖最後由 palmtree 於 2014-11-6 17:17 編輯

http://www.5i01.cn/topicdetail.p ... 8&last=53010172

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