大陸28奈米產能將爆量 台積電、聯電、華力微、中芯積極逐鹿

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本帖最後由 palmtree 於 2016-9-27 16:12 編輯



兆易創新<http://www.gigadevice.com/index.html?locale=zh_CN> 擴大供應商佈局 買下憶正武漢SSD廠

業界領先的記憶體和控制器供應商兆易創新 (Gigadevice)上市剛滿一月便閃電停牌籌畫重組。業內傳出消息,兆易創新日前買下固態硬碟(SSD)供應商憶正科技位於武漢的廠房,開啟並購之路。而憶正科技出售武漢廠房後,將專心朝特殊型SSD和智慧手機內置eMMC技術做研發。據瞭解,兆易創新為了擴大供應商佈局,目前除了與中芯國際合作外,也在與華力微電子和武漢新芯合作。

當前世界中,有三家供應商憑藉SPI NOR Flash在消費應用領域中取得了成功,兆易位列其一,另外兩家是臺灣的旺宏和華邦,這三家公司合計佔有SPI NOR Flash出貨量80%以上。由於兆易的迅速崛起,給台系廠商造成了不小的壓力。

兆易創新是SPI NOR FLASH領域全球最大的fabless供應商,成立於2005年4月,總部設於中國北京,在中國大陸、臺灣、韓國、美國、日本、英國等多個國家和地區設有分支機搆,行銷網路遍佈全球,提供優質便捷的當地語系化支援服務。公司致力於各種高速和低功耗記憶體、微控制器系列產品的設計研發,並以“高技術、低功耗、低成本”的特性領先於世界同類產品,公司已通過SGS ISO9001及ISO14001等管理體系的認證,並與多家世界知名晶圓廠、封裝測試廠結成戰略合作夥伴關係,共同推進半導體領域的技術創新。

由於兆易創新是純NOR Flash晶片設計公司,長期委由中芯國際代工,近年來兆易創新也在擴大多元化的晶圓代工來源,開始與華力微電子、武漢新芯接洽,展開NOR Flash晶片代工的業務。

兆易創新除了NOR Flash晶片設計業務外,在2013年推出了國內首款基於ARM Contex-M3內核的32位元通用MCU產品,佈局微控制器領域。上周,兆易創新又推出了全新基於ARM Cortex-M4內核的GD32F450系列高性能MCU。官方介紹,作為業界最高性能的Cortex-M4微控制器,GD32F450具備了超高的計算性能,處理器最高主頻可達200MHz,並提供了完整的DSP指令集、平行計算能力和專用浮點運算單元(FPU),從而將32位元控制與領先的數位信號處理技術集成來滿足高級計算需求。

憶正科技位於武漢的工廠前身是SSD研發中心與組裝廠。憶正科技原本是工業和軍用SSD供應商,一直是eMMC控制晶片供應商,但看好看好未來智慧手機以及平板電腦內建的儲存規格將從eMMC轉到eMCP上,同時也看好印度、非洲等新興智慧手機市場。於2015年將eMCP模組視為重點產品,更積極鞏固eMCP當中的DRAM晶片貨源,與美光、東芝等記憶體大廠在NAND Flash上都有技術合作,可获得稳定的存储芯片货源,同时美光也是股东之一。正是出于以上因素,

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本帖最後由 palmtree 於 2016-9-27 16:25 編輯

FD-SOI:晶片製造工藝向10nm技術節點發展的最佳選擇


按照摩爾定律,晶片可容納的電晶體數量每兩年提高一倍。然而,摩爾定律不只是在同一顆晶片上將電晶體數量增加一倍的技術問題。摩爾定律暗示,隨著晶片集成密度翻倍,功耗和性能都將會實現大幅度改進。在過去50年裡,半導體工業一直按照摩爾定律發展,因為晶片的三個要素——價格、功耗和性能始終是在聯動。
 
在可預見的未來,半導體工業雖然能夠繼續證明摩爾定律的正確性,但是,當發展到當今最先進的28納米技術節點以下時,卻遭遇逆風阻擋前進步伐,因為在28納米以後,技術複雜程度和製造成本都將大幅提升。綜合考慮價格、功耗和性能三個要素,全耗盡型絕緣層上矽 (FD-SOI)是晶片製造工藝向10納米技術節點發展的最佳選擇。
 
對於晶片製造商、終端產品廠商和消費電子廠商,FD-SOI符合摩爾定律的三個要素的要求,而且是一個經過市場檢驗的解決方案,因為28納米 FD-SOI製造工藝現已投入量產。目前意法半導體正在部署14納米 的FD-SOI技術,預計2015年後投入量產,而10納米 FD-SOI技術還處於研發階段。
 
最終,成本是任何製造工藝能否帶來投資收益的決定性因素。與傳統的基板(bulk)CMOS製造工藝相比,FD-SOI是一項全新的技術,所用的晶片也稍貴,但是,更為簡單的結構使其成為30納米以下的技術節點中成本效益最高的製造工藝。如果採用28納米技術製作一顆晶片,在相同的選件和金屬層條件下,FD-SOI需要38個掩模,而某些基板CMOS則需要多達50個掩模。FD-SOI縮減製造工序15%,縮短交貨期10%,這兩大優點可大幅降低成本。此外,掩模數量和製造工序減少有助於提高產品良率,從而進一步降低成本。
 
與FinFET技術相比,FD-SOI的優勢更為明顯。FD-SOI向後相容傳統的成熟的基板CMOS工藝。因此,工程師開發下一代產品時可沿用現存開發工具和設計方法,而且將現有300mm晶片製造廠改造成FD-SOI晶片生產線十分容易,因為大多數設備可以重新再用。
 
顯然,在10納米節點以上遵從摩爾定律的製造工藝中,FD-SOI遭遇的技術和成本阻力最小。消費電子廠商等原始設備製造商受摩爾定律影響數十年,期待半導體廠商在相同價格下提高晶片性能,若價格降低則更好,除非情況極其特殊,否則設備廠商不可能接受高價格。問題的關鍵是FD-SOI能否兌現承諾。除價格優勢外,採用最先進技術的FD-SOI還能改進性能和功耗,以滿足不同應用領域的終端使用者的需求,例如,消費電子、基礎設施,甚至還有想像不到的未來應用。
 
除“更簡單”外,電晶體性能強大是FD-SOI與生俱來的優勢,擊穿正向體偏壓(FBB)和更寬的電壓調節範圍更是其獨一無二的特性。簡單地說,在晶片性能固定時,FBB和更寬的電壓調節範圍可降低功耗,或者當功耗固定時,FBB可提高晶片的性能。實際上,FBB在一個電晶體內再形成一個電晶體,這種管內管技術只有FD-SOI才能實現,而FinFET則無法做到。
 
FBB特性將會給採用FD-SOI系統晶片的消費電子產品帶來巨大的好處,在試圖充分利用頻率固定元件和高性能元件以及不同工作模式的應用設計中,FD-SOI晶片的動態優調功能可使性能和功耗達到最佳狀態。
 
在基礎設施領域,一個資料中心的用電量比一個中等城市的用電量還要大。分析師估計,全球所有資料中心的耗電量總和相當於30座核電站的發電量[1],FBB准許應用系統根據資料中心的負荷動態調節功耗/洩漏電流/工作頻率。這樣,資料中心的能耗就會與工作負荷成正比,最終FD-SOI可將資料中心的耗電量降低高達50%。
 
功耗雖然很重要(特別是在資料中心等耗電很大的基礎設施領域),但是在重要性排名中只能屈居性能之後,排在第二位。FD-SOI還能滿足市場的高性能要求。28納米基板 CMOS改用28納米 FD-SOI後,電路速度提升幅度高達35%。即使性能大幅度提升,FD-SOI電晶體的散熱率仍然較低,因為較低的洩漏電流和更寬的電壓調節範圍以及FBB提高了晶片的能效,這讓終端設備散熱更小,續航時間更長,大幅降低資料中心等耗電大的基礎設施的間接運營成本,例如,電腦散熱支出。
 
能效對新興的物聯網同樣具有重要意義,要想監視和跟蹤每一個物體,物聯網需要在全球部署數十億顆智慧感測器,並確保這些感測器始終連入互聯網。考慮到物聯網的規模和潛力,多達數十億的感測器必須高能效運行,即便在低壓下工作也必須確保高能效,作為能效最高的可行方案,FD-SOI可滿足物聯網的節能要求。
 
因為採用FD-SOI的ASIC和系統晶片在價格、功耗和性能方面具有先天優勢,意法半導體已取得15項相關設計專案。隨著代工廠和IP合作夥伴組成的生態系統在2014年不斷擴大,意法半導體將會羸得更多設計專案。
 
完整的摩爾定律證明方法
 
半導體工業今天能夠預見10納米節點以證明下摩爾定律的方法。要想遵從摩爾定律,需要一個能夠發揮基礎製造工藝的價格、功耗和性能優勢的完整方法。因此,FD-SOI自然成為基板CMOS的替代者,將會繼續創造自我價值,同時為依賴晶片的規模龐大的全球工業生態系統創造價值。
 
作者:Laurent Remont
意法半導體嵌入式處理解決方案事業部副總裁、技術產品戰略部總經理



手機鏈考量?技術分水嶺抉擇? 大陸半導體產業發展FD-SOI製程

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台灣比三星偷左,大陸再去偷三星
又可以自煮燃發正呀

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兆易創新 擴大供應商佈局 買下憶正武漢SSD廠

業界領先的記憶體和控制器供應商兆易創新 (Gigadevice)上市 ...
palmtree 發表於 2016-9-27 16:07


業界領先,邊忽領先呀,睇過

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之前先有國企晶片廠爆煲,有幾成真都未知

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d大廠用邊間28?     

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搵人拖下地啦,成地精喇

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假28nm真40nm,睇下宜家所謂嘅***16nm就明白

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假28nm真40nm,睇下宜家所謂嘅***16nm就明白
sl110070 發表於 2016-9-28 20:29
nm冇標準,就算得1%係,minimum feature size真係28nm就叫得自己做28nm,

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