比NAND快一千倍:中芯國際出樣40nm ReRAM存儲芯片

本帖最後由 palmtree 於 2017-1-19 15:46 編輯

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以紫光為代表的中國公司正在斥資數百億美元投入NAND、DRAM等等存儲芯片市場,2018年將推出國產3D NAND閃存,意圖實現國家要求的芯片自給率要求。不過在NAND領域,中國公司研發、生產已經晚了20多年,更大的希望還是在在新一代存儲技術上。中芯國際(SMIC)日前正式出樣40nm工藝的ReRAM(非易失性阻變式存儲器)芯片,更先進的28nm工藝版很快也會到來,這種新型存儲芯片比NAND閃存快一千倍,耐用一千倍。



▲SMIC中芯國際已經出樣40nm工藝的ReRam存儲芯片

在存儲芯片領域,NAND閃存是目前的絕對主流,保守點說三五年內它都會是電子設備存儲芯片的主流選擇,但研究人員早就開始探索新一代非易失性存儲芯片了,,Intel、美光研發的3D XPoint之前有說是基於PCM相變存儲,也是新一代存儲芯片范疇了,而今天說的ReRAM(非易失性阻變式存儲器)更是代表性的非易失性存儲器。

雖然它的名字中帶RAM,不過ReRAM其實更像NAND閃存那樣用作數據存儲,只不過它的性能更強,密度比DRAM內存高40倍,讀取速度快100倍,寫入速度快1000倍,耐久度高1000倍,單芯片(200mm2左右)即可實現TB級存儲,還具備結構簡單、易於制造等優點。

說到ReRAM,不得不提的一家公司就是Crossbar,根據該公司資料,Crossbar技術首先由中國出生的盧偉(Dr. Wei D. Lu)博士研發,他也是Crossbar的首席科學家和聯合創始人。盧博士擁有中國清華大學物理學士學位,以及德克薩斯州萊斯大學物理學博士學位。盧博士在ReRAM領域積累了十二年的研究經驗,他先作為哈佛大學的博士後研究員,然後被任命為密歇根大學教授從事這項研究。他是納米結構和設備行業的領先專家,包括基於雙端電阻開關設備的高密度內存和邏輯系統、神經元電路、半導體納米線設備和低維系統中的電子輸運。

2016年這家公司獲得了8000萬美元的風投,其中中國公司也參與了,而Crossbar去年3月份也宣布進軍中國市場,他們的合作夥伴就是SMIC中芯國際,將基於後者的40nm CMOS試產ReRAM芯片。根據該公司副總裁Sylvain Dubois所說,2016年內中芯國際已經開始給客戶出樣40nm工藝的ReRAM芯片,實現了該公司之前2016年內推出ReRAM的承諾。

不僅如此,更先進的28nm工藝版ReRAM芯片也將在2017年上半年問世,只是Sylvain Dubois拒絕表態是否還是由SMIC生產,還是交給其他代工廠。


紫光、南京敲定半導體基地建設,擴張 3D NAND Flash 產能
作者 liu milo | 發布日期 2017 年 01 月 19 日 14:59 | 分類 晶片

中國紫光集團董事長趙偉國日前才透露,未來一年將再砸 460 億美元在中國成都、南京各建一座晶圓廠,而話才說沒多久,18 日紫光與南京市政府已就半導體產業基地項目正式簽約


18 日紫光集團與南京市政府正式就半導體產業基地項目進行簽約,包含紫光集團董事長趙偉國、南京市所轄江蘇省委書記李強、省委副書記暨省長石泰峰、南京市委書記吳政隆等人都出席簽約儀式。

據悉,此次半導體基地投資主要將用於生產 3D NAND Flash、DRAM 等記憶體晶片,土地面積約 1500 畝,一期將投入約 100 億美元,目標月產能約 10 萬片,但官方並未透露量產的明確時程。

以建設項目來看,這個投資案可能還得等等,紫光集團聯合武漢新芯共組長江存儲,有意從 3D NAND Flash 取道進入記憶體產業,技術來源就是與現已併入賽普拉斯(Cypress)的飛索半導體(Spansion)合作,傳聞雙方目標在 2017 年或 2018 年初推出 32 層堆疊 3D NAND Flash,然目前仍未有動靜,長江存儲近日甚至發布新聞稿澄清,從未發表過  32 層 3D NAND Flash 今年量產的消息,目前連要生產的產品都還未有著落。

紫光/長江存儲量產 3D NAND Flash 產品的廠房日前才在 12 月底動土,項目總投資金額約 240 億美元,預期於 2018 年完成建廠投產、2020 年完成整個項目,總產能將達到 30 萬片一個月。紫光集團趙偉國在 11 日喊出 2017 年將在南京與成都再投資半導體製造基地,這三個基地的總投資金額超過 700 億美元。

紫光與成都政府去年 12 月 13 日已簽署《紫光 IC 國際城項目合作框架協議》規劃於成都建廠,現在 18 日再與南京市政府簽約,就看紫光何時真正開始展開建設!

哦。。。。。。。

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辛苦樓主, 星期六下午都要開工

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真係出到又唔區
最多唔用中國牌子

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比較關心有冇偷開門

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本帖最後由 palmtree 於 2017-1-14 22:44 編輯

ReRAM



ReRAM代表電阻式RAM,將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結合於一身。換句話說,關閉電源後記憶體仍能記住資料。如果ReRAM有足夠大的空間,一台配備ReRAM的PC將不需要載入時間。ReRAM基於憶阻器原理,致力於商業化ReRAM的企業包括惠普、Elpida、索尼、松下、美光、海力士等等。



外文名ReRAM 研究單位日本富士通的川崎實驗室 性    質電阻式記憶體 作    用能提供更低的功耗
日本富士通的川崎實驗室透露,他們研發出了一種新型的非揮發ReRAM(電阻式記憶體),能提供更低的功耗.

包含鈦鎳氧化物結構的ReRAM,在刷寫時只需要100mA的電流甚至更少,相比傳統ReRAM,研究人員還降低了90%的波動電阻值,這一技術指標在反復高速寫入和擦除時會影響產品品質和壽命.

新的技術可以更快地完成存取,5毫秒內存取10000次.

這種ReRAM未來可以替代目前的FlashRAM,並且成本較低,表現也非常突出.


日本Elpida公司,夏普公司和東京大學於2010年10月宣佈共同開發次世代的ReRAM記憶體,並希望在2013年量產實用化。

這種新型的記憶體消費電流更低,比現有的手機採用的NAND型存儲速度快約1萬倍。實用化後,將提高手機下載高畫質動畫速度,並且消耗更低的電量,從而可以延長手機的使用時間。

ReRAM由夏普公司研究材料技術和製造方法,Elpida公司提供記憶體的加工組合技術,東京大學等學術研究機構提供技術上的支援。

基礎電子學教科書列出三個基本的被動電路元件:電阻器、電容器和電感器;電路的四大基本變數則是電流、電壓、電荷和磁通量。任教于加州大學伯克利分校,並且是新竹交通大學電子工程系榮譽教授的蔡少堂(Leon Chua),37年前就預測有第四個元件的存在,即憶阻器(memristor),實際上就是一個有記憶功能的非線性電阻器。

惠普公司實驗室的研究人員最近證明憶阻器的確存在,研究論文在5月1日的《自然》期刊上發表。加州大學伯克利分校電機工程和電腦科學系教授蔡少棠,1971年發表《憶阻器:下落不明的電路元件》論文,提供了憶阻器的原始理論架構,推測電路有天然的記憶能力,即使電力中斷亦然。惠普實驗室的論文則以《尋獲下落不明的憶阻器》為標題,呼應前人的主張。蔡少棠接受電話訪問時表示,當年他提出論文後,數十年來不曾繼續鑽研,所以當惠普實驗室人員幾個月前和他聯繫時,他吃了一驚。

憶阻器可使手機將來使用數周或更久而不需充電;使個人電腦開機後立即啟動;筆記型電腦在電池耗盡之後很久仍記憶上次使用的資訊。憶阻器也將挑戰掌上電子裝置目前普遍使用的快閃記憶體,因為它具有關閉電源後仍記憶資料的能力。利用惠普公司這項新發現製成的晶片,將比今日的快閃記憶體更快記憶資訊,消耗更少電力,佔用更少空間。憶阻器跟人腦運作方式頗為類似,惠普說或許有天,電腦系統能利用憶阻器,像人類那樣將某種模式(patterns)記憶與關聯。


爾必達前社長助拳,合肥大砸 8,000 億日幣蓋 DRAM 廠
http://technews.tw/2016/02/22/hefei-dram/


日企先明行 台後暗走 登陸 阻不了  大腦出走 已培育新團隊 紅色產業鏈開始現形 美光買到軀殼買不了靈魂 市場在中國

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新世代的儲存體!

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希望快d出

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出左再講
INTEL 個3D XPOINT 之前夠話好勁,等左咁耐都未有
而且好似越嚟越無想像中咁勁

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