點解只有1.1V 出?

本帖最後由 quoy 於 2013-6-13 13:03 編輯

我係唔係搞錯左D咩?

+BAT =3.7V,  點解RC_DELAY 用meter 度出黎只有1.1V 而唔係3.7V?
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我係唔係搞錯左D咩?

+BAT =3.7V,  點解RC_DELAY 只有1.1V 而唔係3.7V?
quoy 發表於 2013-6-13 12:29


N type 是 GS 0v = conduction, GS  2V = off
是這樣嗎

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本帖最後由 quoy 於 2013-6-13 13:04 編輯
N type 是 GS 0v = conduction, GS  2V = off
是這樣嗎
xiao 發表於 2013-6-13 12:52


N mosfet (2N7002) >1.7V ON,  1.1V係我用meter度出黎. 原本我係想要出黎要有3.7V的
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回復 3# quoy

應該出唔到 3.7V.
睇你份 datasheet, 當 VGS < 1V, 粒嘢會 off....這已經係最好情況...

用 NPN得唔得? 如果用 NPN, 應該出到 3.0~3.1V.

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concept錯喎,點會用N-MOSFET做
VGS要>3V先 fully on,如果你想Source位有3.7V,但你Drain/Gate位又係3.7V,咁咪VGS = 0!
應該用P-MOSFET做,Gate落ground,VGS=-3.7V,fully on

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高端驱动的(N)MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V

係咪嚟個原因.

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concept錯喎,點會用N-MOSFET做
VGS要>3V先 fully on,如果你想Source位有3.7V,但你Drain/Gate位又係3.7V ...
icefire 發表於 2013-6-13 13:46


原來如此, 我其實係想RC_DELAY 一開係0V, 之後過左0.03s 就變成+BAT 電壓. 咁我應該點做先好? 電壓只有個+BAT OR GND.

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原來如此, 我其實係想RC_DELAY 一開係0V, 之後過左0.03s 就變成+BAT 電壓. 咁我應該點做先好? 電壓只有個 ...
quoy 發表於 2013-6-13 13:54


Q1轉P-MOSFET,C7,R21位置掉轉,C7駁Drain-Gate,R21駁Gate-Soruce。
同N-MOSFET circuit原理一樣,起動時C7要慢慢charge up到-3.7V

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本帖最後由 quoy 於 2013-6-13 14:25 編輯
Q1轉P-MOSFET,C7,R21位置掉轉,C7駁Drain-Gate,R21駁Gate-Soruce。
同N-MOSFET circuit原理一樣,起動 ...
icefire 發表於 2013-6-13 14:09


係唔係咁?
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回復  quoy

應該出唔到 3.7V.
睇你份 datasheet, 當 VGS < 1V, 粒嘢會 off....這已經係最好情況...

用 N ...
eeek 發表於 2013-6-13 13:28


其實VGS電壓 應該點計?

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