Snapdragon 835

本帖最後由 cn98cn 於 2016-11-28 11:22 編輯

Snapdragon 835

全新的 Qualcomm Snapdragon 835 處理器,與同Snapdragon 821 相比,
Snapdragon 835 效能高出 27%,
功耗上減少了最多 40%,同
時加體積上亦減少了約 30%。

=== 2016-11-28 ==
據了解,高通驍龍835將採用10nm八核心設計,大小核均為Kryo架構,主核心頻率3GHz,副核心頻率2.4GHz,GPU為Adreno 540,支援 4k 顯示屏,UFS 2.1、雙相機鏡頭及LPDDR4x四通道記憶體,Cat.16網絡。

驍龍835處理器還會支援全新的Quick Charge 4.0快充技術,可以充電5分鐘,就得到5小時使用時間,充電效率比之前增加30%,原生支援USB-C和USB-PD(Power Delivery)。
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高通驍龍835確定配置八核,三星Galaxy S8明年Q1搶頭香

回覆 1# cn98cn
三星做,你驚嗎?

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Snapdragon 835。用上了 Samsung 最新型的生產技術,最具革命性的 10nm FinFET 製程技術

Samsung 生產的現有 14nm Snapdragon 821

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回覆  cn98cn
三星做,你驚嗎?
cpk 發表於 2016-11-18 17:05

S820已經係*** 14nm FinFET

有咩好驚?

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回覆  cn98cn
三星做,你驚嗎?
cpk 發表於 2016-11-18 17:05


Apple 做,你驚嗎?Apple 從未有自己的廠做 CPU 的, 全部假手於人的

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功耗上減少了最多 40%

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回覆  cn98cn
三星做,你驚嗎?
cpk 發表於 2016-11-18 17:05


驚什麼呢?
未見過有殺傷力的CPU爆炸

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回復 6 #cn98cn

最多40%,可能平均得4%

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Snapdragon 835

全新的 Qualcomm Snapdragon 835 處理器,與同Snapdragon 821 相比,
Snapdragon 835 效能高出 27%,
功耗上減少了最多 40%,同
時加體積上亦減少了約 30%。
cn98cn 發表於 2016-11-18 17:00

乜鬼翻譯黎,啲意思錯曬

係同一功耗下有27%效能增長或
係同一效能下有40%功耗減少
同時10nm可以為area efficiency有30%提升

Samsung’s new 10nm FinFET process, for instance, allows up to a 30 percent increase in area efficiency with a 27 percent improvement in performance or up to 40 percent less power consumption compared to the previous version. 

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驚什麼呢?
未見過有殺傷力的CPU爆炸
peaceso 發表於 2016-11-18 17:15



但CPU發熱會導致粒電爆炸

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