[技術討論] 探討TRIM同4K對齊點解可以提升SSD效能同壽命

本帖最後由 harryytm 於 2015-12-23 23:48 編輯

成日都話SSD最好用有TRIM嘅OS,記得要開TRIM、做4K對齊如果唔係SSD會好快死,但係講呢啲野嘅師兄又了唔了解TRIM其實係用咩方法提升SSD效能同壽命?

喺未去探討SSD用咗咩方法去提升效能同壽命之前,首先要了解電腦係點讀寫資料。

軟件層面上,檔案系統負責處理軟件讀寫檔案嘅要求,一般嘅檔案系統將磁碟空間畫分成大小為4096byte嘅配置單元,每個配置單元都有自已嘅地址,而檔案系統以資料夾記錄嘅形式記錄資料夾嘅結構,而以NTFS為例,最頂層嘅資料夾記錄叫做MFT,而每個資料夾記錄會放置檔案記錄,除此之外仲可以放置多一層資料夾記錄,而每個檔案記錄入面,記錄咗個每檔案嘅資料放喺咩地址嘅配置單元入面。

喺硬件層面,現時嘅HDD或SSD,全部都係用LBA去定位啲資料放喺碟上面邊個位置,原理就好似地圖座標咁,將整個磁碟畫分為一個個大小為512byte或4096byte嘅磁區,每個磁區都有一個LBA地址,而底板上面嘅SATA控制器透過Driver接收OS嘅LBA讀寫要求,之後將數據同指令封裝成SATA封包經SATA傳送去磁碟,磁碟就會跟個指令去讀寫數據。

註意:惗住一邊討論一邊寫,有興趣就討論下,而整編文嘅結構會不停增多減少或前後調動,意思可能會唔暢唔好見怪。

預留位

TOP

提示: 作者被禁止或刪除 內容自動屏蔽

TOP

本帖最後由 harryytm 於 2015-12-21 01:37 編輯
有 D 專名詞唔記得

不過主要係 TRIM ,Wear Leveling
SLC MODE 都算係一種延長壽命既方法 (講緊 MLC ,TLC  ...
糖蓮子 發表於 2015-12-21 01:17


SLC長壽嘅原因係因為每個NAND Gate只會記錄0同1兩個狀態,就算個NAND Gate老化咗讀取嘅時候仲可以明顯分辨到個狀態,而MLC每個NAND Gate係記錄多於0同1兩個狀態,讀取老化嘅MLC NAND Gate嘅時候好難分辨到個狀態,所以會快過SLC報廢。

TOP

提示: 作者被禁止或刪除 內容自動屏蔽

TOP

提示: 作者被禁止或刪除 內容自動屏蔽

TOP

以我睇完編文嘅理解,係個Controller可以將TLC/MLC當成SLC咁淨係寫0同1落去。

TOP

提示: 作者被禁止或刪除 內容自動屏蔽

TOP

有 D MLC SSD 晌 容量未夠 50% 既時候只會寫入頭果 1BIT

而廠商聲稱可以加速同延長壽命

專有名詞唔記 ...
糖蓮子 發表於 2015-12-21 01:39


其實SLC MODE只係提升速度,無提升到壽命,相反仲減少壽命,除非唔SHIFT 去MLC MODE,個區域只運行SLC ONLY。
點解- NAND壽命主要係寫同册除,唔係寫入頭個1bit,NAND無分頭唔頭,只不過SLC每個CELL 二個狀態 0-1,MLC 就4個狀態 0,1,2,3 TLC就8個狀態 0,1,2,3,4,5,6,7 ,用電荷量不同來代表幾號,其實SLC/MLC/TLC結構基乎一樣,只是讀取和寫的程序有少許出入,由於SLC只係分辦二個狀態,速度比較快,但用SLC MODE 寫入,對oxide layout 的損傷和MLC/TLC基本是一樣的,而SSD的壽命基本是以oxide layout 的損傷而定,損傷直接導致漏電荷,只不過SLC可以傷到好多,TLC傷少少就玩完,
SLC反而增加每粒CELL的寫入量 (6BIT- 寫入TLC二個CELL,寫入MLC三個寫,寫入SLC六個CELL),如果不回到MLC MODE無所謂,如果要回到MLC MODE就會擴大寫入量,如果用係TLC即寫多三倍,所以TLC才不能把大量位置用作SLC CACHE,他用少許作為SLC CACHE,每個CELL行幾下SLC CACHE就唔多覺,用到咁上下就拿差唔多玩寧的區塊來永久當作SLC CACHE,如果把大量CELL當作SLC MODE,大量位置就永遠唔用得來做TLC。

TOP

提示: 作者被禁止或刪除 內容自動屏蔽

TOP