[產品資訊] 繼Seagate之後Toshiba發佈100TB QLC SSD

http://www.theregister.co.uk/2016/08/10/toshiba_100tb_qlc_ssd/

重點:
Read:3GB/s
Write:1GB/s
IOPS
Read:50000
Write:14000
Endurance:150 cycles

100TB X 150 = 15PB同Intel DC S3700 800GB一樣嘅endurance

除寫入次數
還要考慮斷電後可以保存 data 的時間

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150 Cycles
只係係靠大容量先 keep 到個 endurance

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SLC -> MLC 增加 100% 容量
MLC -> TLC 增加 50% 容量
TLC -> QLC 增加 33% 容量

QLC 增加容量很少 , 寫入次數大減

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除寫入次數
還要考慮斷電後可以保存 data 的時間
usei 發表於 2016-8-11 14:06


SSD斷電後資料會消失?

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SSD斷電後資料會消失?
superspike 發表於 2016-8-11 14:21


http://technews.tw/2015/05/13/ssd-heat-resisting-property/

機入面的 SSD 通常不會有問題

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SLC -> MLC 增加 100% 容量
MLC -> TLC 增加 50% 容量
TLC -> QLC 增加 33% 容量

QLC 增加容量很少 , 寫入 ...
usei 發表於 2016-8-11 14:21



   
每加多一個Level容量係翻倍
SLC : 0,1 (2 state)
MLC : 00/01/10/11 (4 states)
TLC : 000/001/010/011/100/101/110/111 (8 States)
QLC : 0000/0001/0010/0011/0100/0101/0110/0111.......(16 states)

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回覆 7# BlackBird

state 數不是容量
SLC 1bit
MLC 2bit
TLC 3bit
QLC 4bit

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每加多一個Level容量係翻倍
SLC : 0,1 (2 state)
MLC : 00/01/10/11 (4 states)
TLC : 000/001/010 ...
BlackBird 發表於 2016-8-11 02:32 PM



SLC = 1 level = 1 bit data
即係cell入面電壓代表0或1

MLC (2bits) = 4 levels = 2 bits data
cell 入面用4個不同電壓,分別代表 00, 01, 10 或11
2^2 = 4 levels

TLC (3bits) = 8 levels = 3 bits data
cell 入面用8個不同電壓,分別代表 000, 001, 010, 011, 100, 101, 110 或11
2^3 = 8 levels

(***叫TLC做3 bits MLC,如只照字面睇,你唔可以話佢錯,但電腦界約定續成MLC 係指2 bits,等如1MB = 1,000,000 Bytes而唔係1,048,576bytes,其實TLC個triple,照字面意思解都有問題)

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本帖最後由 sing 於 2016-8-11 15:43 編輯
重點:
Read:3GB/s
Write:1GB/s
IOPS
Read:50000
Write:14000
Endurance:150 cycles

100TB X 150 = 15P ...
t1066 發表於 2016-8-11 12:44 PM


Write endurance唔可以就咁計
其他因素,例如write amplification,都要考慮
例如Sandforce 壓縮咗data先寫入
有機會令write amplification細過1
咁佢write endurance就會大過 NAND Size * Write Cycle

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