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CL19-23-23-45 穩跑 4000MHz  CORSAIR VENGEANCE SODIMM DDR4 4,000MHz 32GB Kits
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CORSAIR 最新宣佈推出全球速度最快的 DDR4 SODIMM 記憶體「VENGEANCE SODIMM DDR4 4,000MHz 32GB Kits」 ( 4x8GB ) 套裝, 專為筆記本電腦、一體式個人電腦及 Intel 高階桌面級 X299 主機板平台的新款小型系統而設,並能夠支援 Intel Core i9 處理器,在 Mini-ITX 中為多達 36 線程的處理能力及大容量記憶體頻寬的 Mini-PC 系統提供支援。

CORSAIR 全新「VENGEANCE SODIMM DDR4 4,000MHz 32GB Kits」套裝採用 4 x 8GB 配置,用上 CORSAIR 特別挑選的 Samsung B-die IC,擁有低延遲、高頻率、高穩定的特點,讓記憶體即使在最高速度下亦能穩定運行。

「VENGEANCE SODIMM DDR4 4,000MHz 32GB Kits」採用 SODIMM 記憶體封裝,最高可以運行 4000MHz 時脈,SPD 配置為 16-16-16-39,SPD 電壓為1.2V ,CORSAIR 官方更特別進行兼容性測試配上 ASRock X299E-ITX 主機板平台,在 XMP 2.0 技術下可在運行 CL19-23-23-45 時序,1.35V 壓可以穩定跑出 4000MHz 。
Samsung 2017Q4 營利創新高達 149 億美元 摩根士丹利預告記憶體晶片景氣將到頂
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金融資訊服務公司FnGuide最新的數據調查顯示,Samsung 受惠於表現強勁的晶片業務,今年第四季度業績有望創紀錄,並預計Samsung 在10月至 12 月的營業利潤將達 16.3 萬億韓元(約合149億美元),比去年同期增長了77.2%。遠遠高於 Samsung 前一季度 14.5 萬億韓元的營業利潤。

Samsung今年第三季度的運營利潤達到創公司記錄的14.53萬億韓元(約合128億美元),較去年同期的 5.2 萬億韓元增長 179%,亦意味著 Samsung今年第四季度的運營利潤將再創歷史新高。

韓國本土券商預計,Samsung 今年的營收有望達到 240 萬億韓元,運營利潤將超過55萬億韓元。分析師還預計,受益於晶片業務持續增長的推動,Samsung 明年的運營利潤將有望達到 70 萬億韓元。
基於 7nm 工藝、高達 2 倍性能提升 下代 HBM3、DDR5 技術參數首度公開
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RAMBUS 在數月前曾透露旗下的實驗室正研發下一代 DDR5 DIMM 記憶體模組,並在日前正式公開相關的產品規格,據 Rambus 的規劃顯示 HBM3 將基於 7nm 工藝製造,將較現有的傳輸提升多達 兩倍至 4 GT/s 速率,封裝架構更加複雜。

外媒 Computerbase 涉露了 RAMBUS 最新的規劃圖,根據官方數字,兩種記憶體標準將擁有以下的升級:HBM3 將提供兩倍或以上的性能,而 DDR5 標準亦較現時的 DDR4 標準提供 1.5 倍到兩倍的性能,這兩個標準都將採用 7nm 工藝製造。

在現時的 HBM2 技術下,數據傳輸可以達到 256 GB / s,擁有 1024-bit 位寬及 2 GT/s 的頻寬速度,新一代的 HBM3 則預計可提升至4 GT/s頻寬速度,按照單晶片 1024bit 介面,最終的數據傳輸可以達 512 GB/s 至 1 TB/s。有別於 CPU 與 GPU 在各代之間擁有極快的性能擴展,相信 HBM3 技術可為高階的 GPU 提供更大幅的效能提升。
用作取代手機 microSD 擴充卡 Samsung 下代旗艦手機將使用 512GB eUFS
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Samsung 最新宣佈已經開始批量生產業內首款 512GB eUFS 解決方案,以用於下一代移動設備,採用 Samsung 最新的 64 層 512-Gigabit V-NAND 晶片,為即將推出的旗艦智能手機及平板電腦提供新的 512GB eUFS 封裝 。

Samsung 全新 512GB eUFS 解決方案由 8 片主控制器封裝而成,使用 Samsung 64 層 512Gb V-NAND 晶片,是以往 48 層 V-NAND 256GB eUFS 的兩倍,全新的高容量 eUFS 可讓旗艦型智能手機能夠存儲大約 130 段 10 分鐘的 4K Ultra HD ( 3840 x 2160 ) 視頻影片,而 64GB eUFS 只能存儲大約 13 部出高十倍之多。

性能方面,Samsung 官方資料顯示 512GB eUFS 的連續讀取最高可達 860MB/s、寫入 255MB/s,隨機讀取為 42,000IOPS、寫入 40,000 IOPS,能夠在 6 秒內將 5GB 的全高清視頻片段傳輸到 SSD,速度比典型的 microSD 卡提高了 8 倍,讓用戶可以享受無縫的多媒體體驗,更有奕地進行高解析度連拍、文件及視頻下載雙應用程式搜索模式等。
64-Layer 3D Flash、最大 256GB 容量 Toshiba 發佈新一代 UFS2.1 NAND
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Toshiba 在今日宣佈基於 64 層 BiCS 3D FLASH 記憶體的 Universal Flash Storage ( UFS ) 晶片已正式進行試樣,採用單晶片封裝備有四種容量,最大提供 256GB ,全新的 UFS 晶片將能夠為智能手機、平板電腦等,提供高速讀寫性能和低功耗的應用需求。

Toshiba 全新 64 層 BiCS 3D FLASH UFS 晶片新陣容將提供四種容量,包括:32GB、64GB、128GB 及256GB,全部的FLASH及控制器都以單晶片設計,並集成在一個 JEDEC 標準的 11.5 x 13 mm 封裝之中,控制器支援 Error Correction 執行糾錯、Wear Leveling 損耗均衡、Logical-to-Physical Address Translation 邏輯到物理地址轉換及Bad-Block Management故障區塊管理,並允許用戶進行簡化系統開發。
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