1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ...
怒!! DRAM 價格繼續升 預估 2017 年年底價格再漲 40%
文章索引: 記憶體
IC Insights 日前公佈最新調查報告,顯示在過去 12 個月以 DRAM 為代表的半導體儲存器在全球範圍內掀起漲價潮,價格已由 2.45 美元升至 5.16 美元,升幅高達 111% 非常驚人,並預估在 2017 年年底之前將會再有高達 40% 的價格升幅。

根據多間市場調查數據機構分析中,均指出自 2016 年第 4 季 DRAM 嚴重供不應求的影響下,導致 2017 年第一季的合約價上漲超過 30% ,各類記憶體產品價格持續上漲。目前, DRAM 記憶體市場以 Samsung 、 Micron 、 SK-Hynix 三大巨頭競爭為主。

三大巨頭競爭中 Samsung 與 Micron 同為漲價潮最大的得益者,在 7 月份 Samsung 公佈 2017 年第二季度業績報告顯示,營業利潤增長近 72% 達到 14 萬億韓元 ( 約合 121 億美元 ) ,創 5 年來季度的歷史新高。而 Micron 發佈的第四財季業績則顯示,營收創下 61.4 億美元,比同期增長 91% ,其中 DRAM 產品銷售增長 5% ,由於 DRAM 產品利潤率增長,該季度毛利率為 50.7% 。
供需由緊俏轉爲平衡 2018 年 NAND Flash 供給年增 42.9%
文章索引: 記憶體
記憶體儲存研究 DRAMeXchange 指出, 2017 年 NAND Flash 產業需求受到智慧型手機搭載容量與伺服器需求的帶動,加上供給面受到製程轉進進度不如預期的影響下,供不應求的狀況自 2016 年第三季起已持續六個季度; 2018 年 NAND Flash 供給將增加 42.9% ,需求端將成長 37.7% ,整體供需狀況將由 2017 年的供不應求轉為供需平衡。

從 NAND Flash 的供給面來看,因為 NAND 製程從 2D 轉進 3D 不如預期,導致 201 7 年非 Samsung 陣營的新增產能沒有百分之百完善利用,再加上轉換期間所帶來的產能損失,讓 2017 年市場呈現整體供不應求的狀態, 2018 年隨著非 Samsung 陣營供應商在 64/72 層 3D-NAND 製程成熟後,整體 NAND Flash 產業供給量年成長率預估將達 42.9% 。

然而,觀察 2018 年需求面狀況,在第一季淡季影響下,智慧型手機、 PC 、平板電腦等出貨量預期都將比 2017 年第四季來得明顯下滑,綜觀供給與需求面狀況, 2018 年 NAND Flash 市場將從供不應求轉為供需平衡。
Samsung 準備新一代 eUFS 快閃記憶體 讀取高達 850MB/s、45,000 IOPS
文章索引: 記憶體
Samsung Electronics 在今日宣佈將會推出首款為汽車而設的 eUFS 嵌入式通用快閃記憶體儲存解決方案,將提供 64GB 及 128GB 兩款容量版本,最高讀取速度可達 850MB/s 、 45,000 IOPS ,並會用作優化高級駕駛輔助系統、娛樂信息及汽車儀表板系統之中。

自 2015 年初 Samsung 首次將 128GB eUFS 用於旗艦手機之中,同年 Samsung 亦組建了一個自家的汽車團隊,為汽車製造商提供組件,包括顯示器、電池、記憶體等等。在去年二月 Samsung 再推出 256GB 版本 eUFS ,希望用作替代中端手機中的 eMMC 。

Samsung 全新 eUFS 嵌入式通用快閃記憶體專為高級駕駛員輔助系統 ( ADAS ) 、汽車儀表板系統及信息娛樂系統的應用而設計,可為司機與乘客提供廣泛的連接功能。
Rambus 正研發全新 DDR5 DIMM  預計最快可於 2019 年正式量產
文章索引: 記憶體
日前 Rambus 正式宣佈旗下實驗室正研發全新的 DDR5 DIMM 可用晶片,全新 DDR5 是動態隨機存取記憶體 (DRAM) 雙列直插式記憶體模組 (DIMM) 的下一代重要介面。預計從 2019 年開始,暫存時脈驅動器與資料緩衝器可望有助於為伺服器倍增主記憶體的傳輸速率,而且也引發了對於未來運算的爭論。

JEDEC 標準組計劃在 6 月份之前發布 DDR5 規範作為下一代伺服器的默認記憶體介面,然而,有些分析師指出 DDR5 出現的時機,將會是持久型記憶體、新的計算機體系統結構及晶片堆疊的新興替代品。

全新 DDR5 DIMM 將能夠支援高達 6.4 Gbps 的 I/O 數據速率,最高可提供 51.2 GB/s 總頻寬,現時的 DDR4 速度為 3.2Gbps I/O 頻寬及 25.6 GB/s 總頻寬,約有一倍的傳輸速率提升。升級後的新版本記憶體時脈最高可 6400MHz ,將使 64 位元鏈路,運作電壓從 1.2V 降低至 1.1V ,並使突發週期 (BL) 從 8 位元進展至 16 位元。此外, DDR5 可還讓電壓穩壓器安裝於該記憶卡內,而不必再加進主機板之中。
基於 3D Xpoint 技術 Intel Optane Memory 教學與測試
文章索引: 記憶體
Intel 為了滿足用家對硬碟儲存容量的高需求,同時又能提供 SSD 快閃記憶體的效能及速度,推出全新首發的 Intel Optane Memory ,以 3D Xpoint 技術打造、使用 M.2 PCI-e x2 插槽為傳輸介面基礎,分別備有 16GB 及 32GB 兩款容量版本,以配合不同容量的硬碟所需。 ( 官方建議每 1TB 的硬碟機可以搭配 16GB Optane Memory 以發揮最大效能 )

SSD 的效能、外觀及系統支援度一直都在用便家心目中保持無與倫比的地位。可惜價格親民化以及儲存容量一直都追不上它的性表現以及在用家心目中地位提升。有見及此, Intel 希望藉住以 Optane Memory 作為系統硬碟的緩存,就像一塊硬碟存取的加速卡,以親民價格為系統提供硬碟大容量儲存,以及媲美甚至超越真正 SSD 的效能表現 ( 效能不再像 SSHD 所加乘的那麼少 ) ,指望滿足上述三項考慮因素,讓買家於加入高性能系統行列。

Intel Optane Memory 以 3D XPoint 堆疊式記憶體技術打造,作為系統硬碟的緩存加速模組,有別於現存快閃固態記憶體, Intel Optane Memory 在 IOPS 、延遲值讀寫速度 ( 尤其貼近日常應用層面多的細小區塊資料 ) 、壽命方面、甚至性價比方面亦都有著顯著的優勢,貼近甚至於某些方面的應用及基準測試層面超越現最高階 PCI-e NVMe 介面的 SSD 固態硬碟。
1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ...