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壽命更長、穩定性更高 3D NAND Flash時代來臨!!
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近期 HKEPC 討論區的玩家們,都在推薦採用 3D NAND 的 SSD 產品,究竟 3D NAND 是什麼 ? 相較傳統 2D NAND 優勢何在 ?

為提升 NAND Flash 晶片容量,最快捷方法就是縮小電晶體的尺寸,可是 NAND Flash 的制程技術已達至半導體物理極限, 3D NAND 技術成為業界的最新發展方向。傳統 NAND Flash 採用平面設計,而 3D NAND 是以則由原本平鋪的儲存單元所堆疊而成,由傳統單層儲存提升至高達 64 層或是上的儲存堆疊,令儲存容量相較傳統 2D NAND Flash 得以提升。

3D NAND Flash 已分為三種設計,現時最常見的是 Simple Stack , Bit Line 與 Word Line 同處在同一平面再重覆堆疊,第二種是 Bit Line 與 Word Line 相互垂直,堆疊的層數是往 BL 方向增加,該結構稱為之垂直通道 (Vertical Channel) ,第三種則是依舊 BL 與 WL 相互垂直,不過堆疊的層數是往 WL 方向增加,這個結構稱之為垂直閘極 (Vertical Gate) 。
SK Hynix 公佈第二季度業績 營業利潤創有史以來新高
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韓國晶片製造商 SK Hynix 在週二稱,由於儲存晶片需求強勁,第二季營業利潤較上年同期飆升 574% ,創有史以來新高,符合市場預期。該財報刷新上次在第一季創下的歷史高位, SK Hynix 因而有望朝向分析師所預估的史上最高年營業利潤 13 萬億韓元邁進。

SK Hynix 表示,在 2017 年 4 至 6 月獲利為 3.1 萬億韓元,營收增長 70% 至 6.7 萬億韓元, DRAM 晶片出貨量較 1 至 3 月增長 3% ,平均售價上漲 11% , NAND 晶片出貨量下降 6% ,均價增長 8% 。

供應吃緊及對伺服器和智能手機等設備具備更多性能的需求,正在推高價格和利潤率,為晶片製造商帶來了所謂的 “ 超級週期 ” 的東風。研究顧問機構 IHS 數據則顯示,今年晶片行業整體營收可能達到紀錄水平的 1154 億美元。
 BiCS FLASH 單個封裝實現 1.5TB 容量 Toshiba 開發全球首款 QLC 3D NAND FLASH
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Toshiba 在近日發佈了全球首款的 QLC NAND Flash ,為一款採用 BiCS FLASH 架構的 3D NAND 記憶體晶片,全新的 BiCS FLASH 是第一個提供 4-bit-per-cell 單元技術的產品,性能能夠超越了 TLC 設備,單顆容量可以做到 768Gb(32GB) ,日後將能為用家帶來容量更大、更低成本的 SSD 產品。

據 Toshiba 指出 ,全新推出的 QLC 技術能為現時的記憶體市場帶來了一系列新技術及挑戰, Multi-bit cell 多位單元記憶體透過管理每個儲存單元中的電子數來儲存數據, QLC NAND 在相同的電子數目內增加一個 bit-per-cell 單位比特數,為現時 TLC 技術的兩倍, Toshiba 利用其全新的記憶體技術,採用先進的電路設計及業界領先的 64 層 3D NAND 製程技術,打造了全新的 QLC 3D NAND Flash 。

採用 64 層 3D NAND 製程技術的 QLC Prototype ,擁有世界最大的晶片容量 768 gigabits/96 gigabytes , QLC 3D NAND Flash 還能於 1.5 TB 容量中採用單個封裝及支援具有 16-die 堆疊架構。由於 QLC 採用了 4-bit-per-cell 設計,每個單元內都有多達 16 種不同的電壓狀態,相較 TLC NAND 更多。另外為了避免讀寫錯誤,主控搭配 QLC NAND 時也必須支援更高級的 ECC 除錯,故此 Toshiba 亦提供了自家的 QSBC 除錯技術,並擁有多達 1000 次左右的 P/E Cycle 。
Samsung 斥資 186 億美元鞏固地位 平澤全新半導體生產線正式投入量產
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為了滿足日益增長的半導體及顯示器需求, Samsung 在 4 日宣佈位於南韓平澤的新半導體生產線已投入服務及開始量產,並將其第一批產品運送給客戶,全新的設備將專注於 Samsung 第四代 64 層 V-NAND 的生產,預計能夠讓 Samsung 保持在儲存產品的領先能力。

據了解, Samsung 已經開始量產新一代 64 層 256Gb V-NAND FLASH ,全新產品將用於擴展伺服器、 PC 及移動應用的儲存解決方案,並將在未來拓展至嵌入式 UFS 快閃記憶體、品牌 SSD 及外部儲存記憶卡之中。

Samsung 全新 64 層 3-bit 256Gb V-NAND 具有 1Gbps 的數據傳輸速度,是目前 NAND FLASH 中最快的速度,並具有業界最短的 500 微秒(㎲)的頁面編程時間( tPROG ),比典型 10nm 的平面 NAND FLASH 高出約四倍,比 Samsung 最快的 48 層 3-bit 256Gb V-NAND FLASH 的速度快了約 1.5 倍。
RGB LED光效控制 CORSAIR Vengeance RGB D4-3000 32GB Kit
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CORSAIR 推出全新「 Vengeance RGB 」記憶體模組系列,主要針對水冷改裝及電競玩家市場而生,加入 RGB LED 光效控制,透過 CORSAIR Link 應用程式自訂色彩效果。 10 Layers PCB 、支援 XMP 2.0 規格,速度由 DDR4-2666 至最高 DDR4-4266 ,備有 Dual 、 Qual Channel 版本及 16GB 、 32GB 及 64GB 版本可供選擇。

CORSAIR 正式推出「 Vengeance RGB 」記憶體系列,以滿足水冷改裝玩家們對色彩光效的追求,外觀設計上沿用「 Vengeance LED 」系列的鋁合金散熱片設計,具肌肉感的散熱片紋路,能讓氣流能順著散熱片紋路下壓,帶走記憶體運作時所產生的熱能,由單色 LED 升級至 RGB LED ,透過 CORSAIR Link 軟體控制色彩及光效,並可與其他 CORSAIR RGB 週邊產品進行同步。

CORSAIR 「 Vengeance RGB 」記憶體是透過 I2C 的 SMBus 匯流排,與記憶體模組上的 RGB 控制器通訊,無需再外接 RGB 控制線材,頂端設有 LED 導光條配搭鋁金屬柵罩,運作時會呈現出絢爛的光效方格, RGB 版本在鋁金屬柵罩中央加入雷射點刻工藝,海盜船 LOGO 會透出 LED 光效,玩家亦可選擇拿掉鋁金屬柵罩,讓整條導光條呈現完整的 LED 效果。
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