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業界最高容量DDR4模組 SK Hynix 明年量產 128GB DDR4
文章索引: Hynix
近期不斷有記憶體廠商針對下代平台宣佈開發 DDR4 記憶體模組,其中 SK Hynix 繼早前開發 64GB DDR4 記憶體模組後,剛於 7 日正式宣佈開發為目前業界最高容量的 128GB DDR4 模組,採用 20nm 級別程製的 8Gb DDR4 記憶體顆粒,比較 64GB 模組具有雙密度。

全新的 SK Hynix 128GB DDR4 記憶體模組專為伺服器市場而設,並可適用於 Intel 的下一代平台 Haswell-EP Xeon E5-2600 v2 處理器,支援 2133Mbps 傳輸速率,在 64-bit I/O 位寬下可提供 17GB/s 頻寬,而且其電壓為 1.2V ,比較現有的 DDR3 模組的 1.35V 更低。

據 SK Hynix 高級副總裁 Sung Joo Hong 表示,世界上第一個 128GB 的 DDR4 模組開發打開了超高密度服務器市場意義, SK Hynix 將進一步鞏固其在高檔的 DRAM 領域的競爭力,並發展高密度、超高速、低功耗產品。
無錫廠雖已復工  但產能未見大升 標準型DRAM價格仍有持續上揚
文章索引: Hynix
去年 9 月 SK Hynix 無錫廠房發生火災引起標準型 DRAM 供應短缺,雖然現時該廠房已經進入復工階段,但據業者表示目前實際開出的產能仍然有限,而且不時傳出良率欠佳的問題,因此標準型 DRAM 供應未能回復早前水平。加上 Samsung 及 Micron 將產品鎖定在高毛利的 Mobile DRAM 或繪圖 DRAM ,據分析師預期,標準型 DRAM 現貨價目前仍會緩步上升,更可能於本週再創新高。

按現時價格走勢所見,由於一線 DRAM 廠已大幅減少 2Gb DDR3 產出,但現時大陸市場白牌平板需求卻是有增無減,因此 2Gb DDR3 原廠顆粒現貨價持續上升,最高達到 3 美元;另一方面主流的 4Gb DDR3 目前仍是供不應求,現貨價回升到約 4.3 美元,更有望短期內突破 4.3 美元創下歷史新高。

據記憶體業者指出,現時三大 DRAM 廠對於標準型 DRAM 投片量持續下降,而 OEM 廠手中庫存量則低於 4 周安全水平,儘管 SK Hynix 無錫廠房進入復工階段,但產能仍未見到大量開出,面對中國農曆新年旺季前需要大量回補庫存,令標準型 DRAM 價格被推高。
SK Hynix也發表LPDDR4記憶體顆粒 預期年底開始應用、2016年成主流
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繼 Samaung 上週宣佈推出全球首款單顆 8Gb LPDDR4 記憶體顆粒後, SK Hynix 也於 30 日於其官方網站宣佈正式推出採用 2x nm 製程技術開發的 8Gb LPDDR4 記憶體顆粒,為代行動記憶體配置提供超高速和低功耗效能表現。

SK Hynix 與 Samsung 推出的 LPDDR4 記憶體顆粒同樣支援達 3200Mbps 傳輸速率,比較現時的 1600Mbps 快兩倍,而且支援在 1.1V 超低電壓中運行,比較 LPDDR3 的 1.2V 更低。

據 SK Hynix 表示,目前已計劃將於明年下半年開始大規模生產,同時也會加強與客戶在行動 DRAM 的標準化合作,並將進一步鞏固其在移動領域的競爭力,以及高密度,超高速,低功耗產品的發展。而早前, SK Hynix 亦已率先發表了 8Gb 和 6Gb LPDDR3 。
SK Hynix 正量產16nm 64Gb NAND Flash 預期128Gb容量版本將於明年初加入量產
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SK Hynix 20 日宣佈現時正開始大規模批量生產採用目前業界最薄的 16nm 製程 64Gb MLC NAND Flash 快閃記憶體顆粒,為大規模生產的第二個版本,能夠擁有更少的記憶體顆粒尺寸,同時提升成本競爭力。另一方面, SK Hynix 也宣佈正開發 128Gb 容量版本,預期將於明年年初開始大規模生產。

一般而言,採用越薄程製技術在收縮細胞之間發生下將會產生頻繁的干擾,但在 SK Hynix 採用最新氣隙技術下,可構建絕緣屏蔽使絕緣物質在路之間形成真空,以克服細胞之間的干擾。

據 SK Hynix Flash 技術開發部門高級副總裁 Jin Woong Kim 表示,其高密度 NAND 閃存產品組合得益於 16nm 的 128Gb MLC 的發展, SK Hynix 開始大規模生產業界最薄的 16nm 產品,目前正計劃積極響應客戶的需求,為用戶提供具有高可靠性和耐久性的 NAND 快閃記憶體產品。
SK Hynix完成開發6Gb LPDDR3顆粒 讓3GB容量記憶體封裝更薄、功耗更低
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記憶體顆粒廠商 SK Hynix 30 日宣佈,目前已經採用 20nm 製程開發 6Gb LPDDR3 記憶體顆粒,可透過堆疊達成實現高密度 3GB 容量記憶體,較現時的 4Gb 顆粒能夠減省 30% 運行功率,而且封裝的高度變得更薄,目前產品樣本已提供予客戶,預期將於 2014 年初開始大規模生產。

新的 6Gb LPDDR3 記憶體顆粒擁有更低運作功耗、待機電流以及令封裝變得更薄,工作在超低電壓為 1.2V ,可滿足利動裝置應用的需要,並可利用 POP 封裝到行動裝置之中,最高可支援達 1866Mbps 速率,介面為 32bit 可在單通道頻寬下達成 7.4GB/s 傳輸,雙通道則為 14.8GB/s 。

6Gb LPDDR3 記憶體顆粒預期會封裝成以 3GB LPDDR3 為主,主要應用在高端的行動設備上,並預期由上半年開始一直加載到 2015 年。 SK Hynix 正計劃加強在行動裝置市場的高性能記憶體產品技術開發,並積極擴展多元化的產品組合。
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