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採用 72 層 512Gb 3D NAND Flash SK-Hynix 打造最大 4TB 容量企業級 eSSD
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SK-Hynix 今天宣佈最近已完成了開發企業 SATA SSD(或“eSSD”)的工作,憑藉其 72 層 512Gb 3D NAND Flash 晶片,正為高附加值 eSSD 市場鋪平道路,SK-Hynix 將 72 層 512Gb 3D NAND Flash 與內部固件及控制器相結合,提供最大 4TB 的密度。

SK-Hynix 表示,一組 4TB 的 SSD 可能包含 200 個 UHD 超高清電影,每個電影大約為 20GB 容量。新的 eSSD 支援高達 560MB/s 及 515MB/s 的連續讀寫速度,並可以擁有 98000 IOPS 及 32000 IOPS 個隨機讀寫,提供了更高的讀取延遲。

SK-Hynix 還完成了開發企業 PCIe SSD 的工作,並向伺服務和數據中心客戶提供樣品。PCIe SSD 也將使用 72 層 3D NAND 並擁有大於 1TB 容量。1TB PCIeSSD 連續讀寫速度為 2700MB/s Read、1100MB / s,隨機讀寫性能達到 230,000 IOPS 和 35,000 IOPS。
SK-Hynix 宣佈推出 16 Gb DDR4 晶片 最高可達 256GB DIMM 容量
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SK-Hynix 最新在其產品目錄中添加了單晶片 16 Gb DDR4 記憶體晶片,這將使單組 DIMM 的最大記憶體容量提高兩倍,受惠於儲存密度的增加,讓 SK-Hynix 可以將更少的儲存器半導體裸片銷售相同容量的晶片,並能夠像以前一樣提高相同儲存器晶片的最大容量。

由於記憶體晶片的數量減少 ,單晶片16 Gb DDR4 記憶體的優點能夠提供更低的功耗,以及將兩個 64GB 模組、四列 128 GB LRDIMM 及八列 256 GB LRDIMM 組合在一起的可能性,將可讓 Intel 或 AMD 伺服器平台上的最大記憶體容量翻倍,例如,EPYC 系統可能會達到 4TB 記憶體容量。
南韓地震後續影響仍在查證當中 DRAM 現貨價格曾出現停止報價情況
文章索引: Hynix
電腦業界對於昨日南韓慶尚北道浦項市北方發生規模 5.5 地震甚感關注,據當地消息指在南韓全國均能感受到搖晃,除了 LGD 龜尾廠部分設備因地震暫時停機外,Samsung 及 SK Hynix 兩家記憶體廠部分機台也因地震自動中止運轉,隨後立即恢復正常運作,並對外表示後續影響仍在查證當中,現貨價格呈現停止報價的情況。

由於韓國是全球半導體產品、顯示器件以及智能終端產品的重要生產地,地震發生後,產業界對地震造成的影響也頗為關注。而業界最擔心的可能是韓國最大企業 Samsung 的 DRAM 和 NAND Flash 晶圓產線生產情況。

根據 DRAMeXchange 半導體研究中心第一時間調查顯示,Samsung 及 SK Hynix 等廠商工廠距離震中央至少有 300 公里以上的距離,地震僅有 0-1 級,目前正常運作中,不需停機檢查。但有業界人士稱由於部分設備對於震動很敏感,當感受到震動系統將會立刻停止運作避免造成損害,在確認正常隨即會恢復運作。而 LGD 樂金顯示器龜尾廠部分設備因地震暫時停機,但在檢查後已重新運作。
業界最高容量DDR4模組 SK Hynix 明年量產 128GB DDR4
文章索引: Hynix
近期不斷有記憶體廠商針對下代平台宣佈開發 DDR4 記憶體模組,其中 SK Hynix 繼早前開發 64GB DDR4 記憶體模組後,剛於 7 日正式宣佈開發為目前業界最高容量的 128GB DDR4 模組,採用 20nm 級別程製的 8Gb DDR4 記憶體顆粒,比較 64GB 模組具有雙密度。

全新的 SK Hynix 128GB DDR4 記憶體模組專為伺服器市場而設,並可適用於 Intel 的下一代平台 Haswell-EP Xeon E5-2600 v2 處理器,支援 2133Mbps 傳輸速率,在 64-bit I/O 位寬下可提供 17GB/s 頻寬,而且其電壓為 1.2V ,比較現有的 DDR3 模組的 1.35V 更低。

據 SK Hynix 高級副總裁 Sung Joo Hong 表示,世界上第一個 128GB 的 DDR4 模組開發打開了超高密度服務器市場意義, SK Hynix 將進一步鞏固其在高檔的 DRAM 領域的競爭力,並發展高密度、超高速、低功耗產品。
無錫廠雖已復工  但產能未見大升 標準型DRAM價格仍有持續上揚
文章索引: Hynix
去年 9 月 SK Hynix 無錫廠房發生火災引起標準型 DRAM 供應短缺,雖然現時該廠房已經進入復工階段,但據業者表示目前實際開出的產能仍然有限,而且不時傳出良率欠佳的問題,因此標準型 DRAM 供應未能回復早前水平。加上 Samsung 及 Micron 將產品鎖定在高毛利的 Mobile DRAM 或繪圖 DRAM ,據分析師預期,標準型 DRAM 現貨價目前仍會緩步上升,更可能於本週再創新高。

按現時價格走勢所見,由於一線 DRAM 廠已大幅減少 2Gb DDR3 產出,但現時大陸市場白牌平板需求卻是有增無減,因此 2Gb DDR3 原廠顆粒現貨價持續上升,最高達到 3 美元;另一方面主流的 4Gb DDR3 目前仍是供不應求,現貨價回升到約 4.3 美元,更有望短期內突破 4.3 美元創下歷史新高。

據記憶體業者指出,現時三大 DRAM 廠對於標準型 DRAM 投片量持續下降,而 OEM 廠手中庫存量則低於 4 周安全水平,儘管 SK Hynix 無錫廠房進入復工階段,但產能仍未見到大量開出,面對中國農曆新年旺季前需要大量回補庫存,令標準型 DRAM 價格被推高。
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