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中國政府或將與 Samsung 簽署協議 盡可能在 2018 年壓抑 DRAM 價格漲幅
文章索引: Samsung
正如大家所見,DRAM 產品如繪圖卡記憶體、DDR4 記憶體等,在近兩年價格不斷飆升,在去年底,就有消息指中國國家發展和改革委員曾與 Samsung 約談,關注儲存晶片價格問題,DRAMeXchange 在日前報導,指出 Samsung 及中國政府將簽署“諒解備忘錄”,以保護 DRAM價格保持在可接受的範圍內。

中國政府在新的 一年宣佈調查之前對發改委進行的監管 ,國家發改委負責中國國務院的宏觀調控工作。由於製造晶片的許多東西基本上都是在中國製造的,同時亦是資源最缺乏的地方,因此更高的價格可能造成一個長期的對亞洲地區經濟的影響。

這就是國家發改委現在主動干預DRAM價格的原因,Samsung是大型的記憶體生產企業之一,因此發改委希望藉著與 Samsung 雙方簽署 MOU 諒解備忘錄,協議將涵蓋了更高的產量,並希望可以壓抑 DRAM 價格漲幅。
Samsung 正式確認 正在為加密貨幣挖掘製造 ASIC 晶片
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有消息指,Samsung 代表已確認公司正積極研發及製造加密貨幣的採礦晶片,引用“來自中國的一位匿名客戶”,他表示與 Samsung 簽署了一份加密硬幣採礦 ASIC 的巨額訂單,並將用於挖掘 Bitcoin 比特幣、Ether 以太幣和其他加密貨幣。

Samsung 的半導體業務正在蓬勃發展,最近更超越了 Intel 成為全球最大的晶片製造商,為了進一步擴大公司的業務發展,Samsung 看準了近年非常流行的採礦業,並積極研發及打造適用於 Cryptocurrency Mining 的處理器。

正如 TechCrunch 的報導,Samsung 已經確認正在製作專為採礦 Cryptocurrencies 像 Bitcoin 及 Ethereum 設計的晶片,這些晶片被稱為 ASIC 或專用集成電路,ASIC 是專為單個運算任務設計的處理器,與我們的 PC 電腦及行動電話中使用的多用途處理器相反。
採用 Z-NAND Flash、高達 800GB 容量 Samsung 推出 SZ985 Z-SSD 產品
文章索引: Samsung
針對超級運算及 AI 分析等的高級企業儲存,Samsung 正式發佈了全新的 Z-SSD 產品,首款型號為“SZ985”,對標 Intel Optane Optane 技術。

在 Intel 發佈旗下自家 3D XPoint 技術後,Samsung 隨即宣佈推出 Z-NAND Flash 及 Z-SSD 固態硬盤,擁有更快的速度、更低的延遲值,聲稱性能可超越現有 NAND Flash 極限。

Intel Optane 是一種介於 DRAM 記憶體、NAND Flash 之間的非易失性儲存,Samsung Z-NAND 也有些類似,但具體架構和技術細節一直沒有公開,如今產品發佈了依然語焉不詳。
64 層 V-NAND 配 LPDDR4 DRAM 及 MJX 控制器 Samsung 發佈全新 860 PRO/860 EVO 系列 SSD
文章索引: Samsung
Samsung 日前宣佈推出全新的 860 PRO 及 860 EVO 系列 SSD ,兩款全新產品是基於 850 PRO 及 850 EVO(業界首款採用 V-NAND 技術的消費類固態硬盤),新一代的 860 PRO 和 860 EVO SSD 在 SATA 固態硬盤上實現了行業領先的性能,結合了最新的 512Gb 和 256Gb 64 層 V-NAND,搭配高達 4GB 的 LPDDR4 移動 DRAM 及新的 MJX 控制器,以提升消費者和企業的用戶體驗。

Samsung 860 系列全線升級使用 Samsung 最新的 64 層堆疊 3D V-NAND,類型為 MLC,單顆容量 256Gb(32GB)、512Gb(64GB),同時全部搭配新的 MJX SSD 主控,DRAM 緩存也統一使用LPDDR4。

為了滿足用家對於不斷增加需求,全新 860 PRO 及 860 EVO 擁有高達 560MB/s 的讀取速度及 530 MB/s 的寫入速度,並提供無與倫比的可靠性,860 系列全線升級提供五年有限保固,但壽命更強了,比如說 860 PRO 4TB 達到了驚人的 4800TBW,也就是 1200 次全盤寫入。
提供 18Gbit/s 頻寬 Samsung 宣佈量產 16Gb GDDR6 記憶體
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Samsung 在 18 日正式宣佈已經開始量產業內首個 GDDR6 16Gb 繪圖卡記憶體,每個引腳可管理 18Gbit/s,主要用於遊戲設備、高級圖形處理繪圖卡、汽車、網絡及人工智能系統,新的解決方案將能夠以 72 GBps 的數據傳輸速度執行 18 GBps 頻寬。

Samsung全新 GDDR6 記憶體採用 Samsung 先進的10nm 級工藝技術,具有 16 Gb 的密度 ( 2 GB ) ,是上代 Samsung 20nm 8 Gb GDDR5 記憶體的兩倍。新的解決方案以 18 Gbps 的引腳速度執行,數據傳輸速度為 72 GBps,與 8 Gbps 引腳速度相比,其速度超過 8 GB GDDR5 的兩倍以上。

新型 GDDR6 記憶體採用創新的低功耗電路設計,工作電壓為 1.35V,與廣泛使用的 1.55V GDDR5 相比,能耗降低約 35%,與 20nm 8Gb GDDR5 相比,10nm 16Gb GDDR6 也帶來了 30% 的製造效率提升。
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