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挑戰對手 Intel 3D Optane SSD Samsung 推出 SZ985 Z-NAND SSD
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Intel 近期動靜多多,除了大家非常關注的新處理器及晶片之外,Intel 亦針對儲存裝置產品與 Micron 研發了全新的 3D Xpoint,當中的 Optane SSD 更號稱理論讀寫速度及壽命都是普通 SSD 的千倍,作為 NAND Flash 晶片的龍頭大廠 Samsung 就推出了 Z-NAND 技術予以還撃,發佈全新 SZ985 Z-NAND SSD 產品,並將會以比對手 Optane P4800X SSD 更低的價格出售。

Samsung 全新 SZ985 是首款基於 Samsung Z-NAND 技術的 SSD 產品 ,提供了一個獨特的電路設計及控制器,相比起現時的 NVMe SSD 延遲降低了 5.5 倍,備有 800GB 容量選擇,採用 HHHL Form Factor、PCIe Gen3 x4 介面,官方資料顯示其連續讀寫速度可達 3.2 GB/s Write 及 3.2 GB/s Read,隨機讀寫速度則可達 750K IOPs / 170K IOPs。

外媒 Tom’s Hardware 就以 Intel Optane SSD 及 Samusng SZ985 兩者作比較,在速度方面,Samusng SZ985 SSD 明顯在連續讀寫及隨機讀寫方面擁有更高效能,但在讀寫指令 Random Read 及 Random Write Latency 方面,Optane SSD 均為10μs、Samusng SZ985 則為 20 /16μs,兩者相較一般 NVMe SSD 介乎 110-120μs 之間均有優勢。
行業領先!!超過 Intel 及台積電投資總和 Samsung 今年半導體設備投資達 260 億美元
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IC Insights 最新公佈的預測顯示,今年半導體行業總投資支出增長 35%,達到 908 億美元,當中 Samsung 去年在半導體設備投資方面投入了 113 億美元,預計 2017 年投資將增長一倍以上,達到 260 億美元,並表示今年 Samsung 是史無前例在半導體行業投資最多的半導體廠商。

IC Insights估計,今年 Samsung 的 260 億美元半導體投資將分成幾部分, 包括 140 億美元的3D NAND Flash 投資(包括在平澤工廠的產能大幅增長)、70 億美元的 DRAM 投資(用於流程遷移和彌補遷移造成的容量損失的額外容量)、50 億美元代工(用於提升 10nm 製程)。

圖片顯示了自 2010 年以來 Samsung 為其半導體部門的投資,這是該公司第一年為半導體部門投資了超過 100 億美元。在 2016 年花費了 113 億美元之後,預計今年的投資將會大幅增加。
南韓地震後續影響仍在查證當中 DRAM 現貨價格曾出現停止報價情況
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電腦業界對於昨日南韓慶尚北道浦項市北方發生規模 5.5 地震甚感關注,據當地消息指在南韓全國均能感受到搖晃,除了 LGD 龜尾廠部分設備因地震暫時停機外,Samsung 及 SK Hynix 兩家記憶體廠部分機台也因地震自動中止運轉,隨後立即恢復正常運作,並對外表示後續影響仍在查證當中,現貨價格呈現停止報價的情況。

由於韓國是全球半導體產品、顯示器件以及智能終端產品的重要生產地,地震發生後,產業界對地震造成的影響也頗為關注。而業界最擔心的可能是韓國最大企業 Samsung 的 DRAM 和 NAND Flash 晶圓產線生產情況。

根據 DRAMeXchange 半導體研究中心第一時間調查顯示,Samsung 及 SK Hynix 等廠商工廠距離震中央至少有 300 公里以上的距離,地震僅有 0-1 級,目前正常運作中,不需停機檢查。但有業界人士稱由於部分設備對於震動很敏感,當感受到震動系統將會立刻停止運作避免造成損害,在確認正常隨即會恢復運作。而 LGD 樂金顯示器龜尾廠部分設備因地震暫時停機,但在檢查後已重新運作。
南韓地震半導體廠或遭波及 RAM、SSD 價格或受影響再上升
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南韓15日下午 2 時 29 分發生罕見地震,強度為黎克特制 5.5 級,震央位於慶尚北道浦項市面,據了解南韓多家製造業的工廠、面板廠、煉油廠與核電廠均位於當地,地震後市區有多棟建物受損,同時亦傳出不少工廠產線部分停機,未知地震會否波及其他半導體及晶圓廠的生產線。

據《韓聯社》報導,今次地震強度是南韓有紀錄以來第二強,規模達黎克特制 5.5 級強震,震央位於南韓浦項市西北西方約 9.3 公里處,震源深度約 10 公里,隨後又傳出 5.4、3.6 級餘震。

據當地民眾表示,事發建築物強力搖晃、民眾驚慌逃出戶外,部分建築受損,還有坍方狀況出現,當中位於慶尚北道龜尾市的 LG Display 廠房亦感受到地震威力,在地震後有部分產線停機並進行檢查中。
採用 NGSFF 規格、8TB 儲存容量 Samsung 發佈 8TB NGSFF NVMe SSD
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除了發佈下一代 GDDR6 記憶體之外,Samsung 同時亦公佈即將推出的 NGSFF 固態硬盤解決方案,屬於一款全新的 NVMe SSD、總儲存容量為 8TB,專門為伺服器及數據中心而設,將能夠提供比傳統儲存器更快、更高容量的新儲存方案。

Samsung 全新 8TB NGSFF (Next Generation Form Factor ) NVMe SSD 型號為 PM983,為選下首款 8TB 採用全新外形設計的 NVMe SSD,尺寸為30.5mm x 110mm x 4.38mm,比 NVMe 2280 M.2 SSD 稍為大一點點。
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