Samsung 30 日宣佈推出全球第一顆 8Gb LPDDR4 記憶體顆粒，採用 2xnm 製程，可以在單一晶片中提供 1GB 容量，是業界目前最大容量產品，並可在四顆晶片封裝達到 4GB 總容量，預期將於 2014 年開始量產。

8Gb LPDDR4 記憶體顆粒採用低電壓 LVSTL I/O 介面，是 Samsung 與 JEDEC 合作製定的 LPDDR4 中的其中一項規範，能夠支援達 3200 Mbps 的傳輸率，比較現時 2xnm LPDDR 顆粒支援的 1600 擁有倍增長。

此外，據 Samsung 表示，全新的 8Gb LPDDR4 記憶體顆粒額定電壓爲 1.1V ，比較 LPDDR3 更省電，而且性能將比 LPDDR3 、 DDR3 高出 50% 。由於 8Gb LPDDR4 記憶體顆粒明年開始量產，相信稍後時間便有機會應用到新一代智能手機之中。