為回應對手新一代高階繪圖卡「 Radeon R9 290X 」， NVIDIA 早前推出「 GeForce GTX 780 Ti 」強勢還擊，卻令原定位最高階 3D 遊戲與運算應用的「 GeForce GTX Titan 」繪圖卡出現性能重疊之尷尬情況。因此， NVIDIA 18 日正式推出全新「 GeForce GTX Titan Black 」繪圖卡取代舊有型號，改用「 GK110 」 B1 Stepping 繪圖核心， CUDA Core 數目提升至 2880 個，搭載 6GB GDDR5 繪圖記憶體，並支援全速 Double Precision 雙精度浮點數能力，讓「 Titan 」再次回復最強繪圖卡之名， HKEPC 找來由 Inno3D 送測的 GeForce GTX Titan Black 為讀者詳細介紹。
NVIDIA GeForce GTX Titan Black
GeForce GTX Titan Black 繪圖卡
圖為由 Inno3D 送測的 NVIDIA GeForce GTX Titan Black 繪圖卡，鋁金屬材質配合銀色設計的散熱器外觀上與 GeForce GTX Titan 和 GTX 780 Ti 沒有兩樣，正面設有透明的聚碳酸酯窗口，加上 LED 背光的 GeForce GTX 標識可透過軟件制定 LED 光暗、呼吸效果、或視乎繪圖核心使用率而調整。分別之處只刻有 GeForce GTX Titan Black 上的 Titan 字樣變成黑色，散熱器鰭片經電鍍後變成黑色。
PCB 採用 NVIDIA 「 P2083 」公板設計，型號雖與上代相同但線路上已作出了修正，其中一個重大修正在於記憶體供電部份由上代以 PCIe Slot 介面取電改為 PCIe 6 Pin 供電，此舉將有效提升記憶體穩定性與超頻能力，但 NVIDIA 並沒有因此修改「 P2083 」 PCB 公板編號。
採用「 P2083 」公板 PCB 設計，但記憶體供電線路作出了改動
NVIDIA GeForce GTX Titab Black 繪圖卡長度為 10.5 吋，提供 2 組 Dual-Link DVI 、 1 組 HDMI 及 DisplayPort 接口。由於繪圖卡最高功耗為 250W TDP ，因此只需採用 1 個 8Pin 和 1 個 6Pin 供電接口，拆下散熱器後可看到繪圖卡採用 6+2 相供電設計，當中 6 相為繪圖核心進行供電，而另外 2 相供電則為 6GB GDDR5 記憶體進行供電，以應付整卡所需，而且封閉式電感及鋁殼電容，能夠承受繪圖卡發出的熱力，並保持正常運作。
基於 GK110-430-B1 繪圖核心
NVIDIA GK110-430-B1 繪圖核心
GeForce GTX Titan Black 繪圖卡採用 B1 Stepping 的「 GK110 」繪圖核心，晶片代號為「 GK110-430-B1 」， 28nm 制程由 TSMC 代工、 Die size 為 533mm2，與 A1 Stepping 同樣基於 Kepler GPU 微架構，受惠於線路上的改良加上制程更為成熟， GeForce GTX Titan Black 提供了完整的「 GK110 」規格，內建 5 組 GPC ，提供 15 個 SMX units ，內建共 2880 個 CUDA Core 和 240 個 Texture Units ，相較舊版本 2688 個 CUDA Core 和 224 個 Texture Units 有所提升維持內建 48 個 ROPs ，並由 6 個 64bit 記憶體控制器支援 384bit 介面。
受惠於 B1 Stepping 的改進， GeForce GTX Titan Black 核心時脈提升至 889MHz ，支援 GPU Boost 2.0 技術，對應核心溫度進行動態超頻下最高可達至 980MHz ，其基本時脈已相較舊版本的 Boost 時脈為高，令 GeForce GTX Titan Black 在性能提升幅度上更見明顯。
儘管 GeForce GTX Titan Black 與 GeForce GTX 780 Ti 規格上十分類似，但 GeForce GTX Titan Black 並非單純針對遊戲應用市場， NVIDIA 解封其 Double Precision 運算單元，提供高達 1.7 Teraflops 運算能力， GeForce GTX 780 Ti 僅有 210 Gigaflops 運算能力，成為兩者在運算能力上最大的產品間隔。
採用 Hynix H5GQ2H24AFR-R2C 記憶體顆粒
同樣支援 384Bit 記憶體頻寬，但今代改為搭載 24 顆 SK Hynix H5GQ2H24AFR-R2C GDDR5 記憶體顆粒，是現時 SK Hynix GDDR5 時脈最高的型號，相較舊版本採用 Samsung K4G20325FD-FC03 記憶體顆粒， GDDR 記憶體速度由 6Gbps 提升至 7Gbps ，記憶體頻寬由上代 288GB/s 大幅提升至 336GB/s 。
散熱方面沿用均熱板散熱設計，其特點在於能夠快速傳導熱能，利用這個優勢把核心熱力傳導至大面積散熱鰭片，配合渦輪式風扇，可同時為繪圖核心、記憶體及供電模組等部份散熱。據 NVIDIA 表示，在散熱器的協助下，核心最高溫度約為 83°C ，而且運作時可保持低聲噪靜音運作，更可配合 NVIDIA GPU Boost 2.0 進一步提升時脈 ，令繪圖效能再應增加。
