Samsung Electronics 11 日宣佈推出採用 20nm 程製的 4Gb DDR3 記憶體顆粒，利用浸入式 ArF 光刻技術，配合改進的雙圖案化和原子層沉積，每個單元由一個電容和一個電晶體相互連接，而且相比前面 25nm 或 30nm 提高了生產效率。

據 Samsung 表示，全新的 20nm 4Gb DDR3 顆粒模塊創建單元電容的超薄介電層以達到更均勻，進而提升電池性能，可以比較 25nm 顆粒節省相當於所消耗能量的 25% ，而且其生產效能可提升 30% ，比較 30nm 級別程製的生產效率更高於 2 倍。

據內存銷售和營銷執行副總裁 Young-Hyun Jun 表示，新型高效節能的 20 nm DDR3 DRAM 將迅速在整個 IT 產業擴大其市場基礎，包括 PC 和移動市場，快速移動到主流地位。 Samsung 將繼續提供下一代 DRAM 和綠色存儲解決方案在競爭中領先，同時促進了全球 IT 市場中與主要客戶密切合作的發展。

同時，修飾雙重圖形技術標誌著一個新的里程碑，通過啟用 20nm 的 DDR3 的生產， Samsung 也正為下一代 10nm 級別 DRAM 的生產作出準備。而目前，據市場調查機構 Gartner 的市場研究數據指出，全球 DRAM 記憶體市場總值將由 2013 年 356 億美元，增長至 2014 年的 379 億美元。