2014-08-04
採用Micron新D9顆粒
ADATA XPG v1 DDR3-1600 8GB x 2
文: John Lam / 評測中心


ADATA 針對玩家市場推出全新 XPG V1.0 DDR3-1600 C9 8GB x 2 記憶體模組,型號為「 AX3U1600W8G9-BB 」,採用黑色散熱片配搭黑色 PCB 設計,雖然預設規格為 DDR3-1600 ,但模組採用了全新的 Micron D9QBJ 顆粒,提供了大幅的時脈提升空間,超頻能力與性價比大幅提升。



測試平台︰

 

ADATA

 

本次測試平台為 ASROCK Z97 OC Formula 主機板配搭 Intel Core i7-4790K 處理器,繪圖卡採用 GALAXY GeForce GT 630 ,作業系統則採用 Microsoft Windows 7 SP1 ,每一組記憶體設定必要經過 AMT64 測試檢定才當成測試成功。

 

AMT64 測試︰

 

AMT64 (Advanced Module Test 64Bit) 測試是現時各大記憶體模組廠商採用的測試標準,用作檢出模組顆粒品質及相容性的硬體測試卡,透過 12 個不同的資料讀寫 Loop Pattern 測試,可以分辨出模組無法通過測試的顆粒,是工廠級的記憶體測試。

 

ADATA 「 AX3U1600W8G9-BB 」記憶體模組採用不俗的超頻空間,雖然 XMP 預設為 DDR3-1600 9-9-9-24 2T ,但修改為 1T 並不加任何電壓下,可以穩定運作於 DDR3-1800 9-9-9-24 1T 並通過 AMT64 測試。

 

Micron D9QBJ 顆粒碰到無法進一歩提升時脈,首要關鍵是 tRCD 時序,緊接是 tRP 與 tRAS ,最後才選擇放鬆 CL 值, Micron D9QBJ 在時脈提升時對於 Secondary Timings 設定並不太敏感,但需要修改 Tertiary Timing 的 tRDWR 、 tRDWR_dr 及 tRDWR_dd 作出配合。

 

ADATA

 

 

筆者測試 ADATA 「 AX3U1600W8G9-BB 」記憶體模組,在 DDR3-1866 下把 tRCD 修改為 10 變成 (CL9-10-9-24 1T) ,電壓略增至 1.52v ,進一步提升至 DDR3-2000 需要把 Timing 修改至 CL10-10-10-28 1T ,電壓略增至 1.55V ,同時需要把 tRDWR 、 tRDWR_dr 及 tRDWR_dd 的值由 9 改為 10 作出配合。

 

ADATA 「 AX3U1600W8G9-BB 」今代主打輕鬆超至 DDR3-2133 ,當然這並不是 XMP 預設值下達成,筆者把 Timing 修改至 CL10-11-10-28 1T ,電壓增至 1.59v 就能完成 AMT64 測試,但要進一步提升時脈所需的工作電壓將會非線性上升。

 

在 DDR3-2200 下需要把 Timing 設置為 CL 11-11-11-28 1T ,同時把 tRDWR 、 tRDWR_dr 及 tRDWR_dd 的值由 10 改為 11 作出配合,電壓亦進一步上升至 1.65V 。 DDR3-2400 下則需要把 Timing 設置為 CL 11-12-12-32 1T ,電壓需提升至 1.72V ,如果把 tRDWR 、 tRDWR_dr 及 tRDWR_dd 的值由 11 放寬至 12 ,所需工作電壓則可以降至 1.68V 但性能卻會明顯下跌。

 

Micron D9 系記憶體顆粒都以吃電壓見稱, D9QBJ 顆粒亦不例外,提升電壓可望把 Timing 收緊以提升性能,但顆粒在 DDR3-2500 ~ DDR3-2600 出現時脈牆,在 DDR3-2400 以上速度再提升電壓並無助於進一步提升運作時脈。如果用作 24 X 7 長時間運作,建議使用工作電壓在 1.65V 或以下的建議設定。

 

Memory Performance Test :

 

Adata

 

從測試可以看到, ADATA 「 AX3U1600W8G9-BB 」記憶體模組在 XMP 預設值下,記憶體寫入性能為 25.4GB/s 、讀取性能為 23.9GB/s ,拷貝為 21.3GB/s 。在不加壓僅修改為 1T 下可運作於 DDR3-1800 速度,記憶體寫入性能為 29.0GB/s 、讀取性能為 27.2GB/s ,拷貝為 24.5GB/s ,性能提升約 15 ~ 18% 。

 

當用家提升記憶體模組時脈,需要調整延遲值作出配合,性能成長幅度無法像 DDR3-1600 9-9-9 直接超至 DDR3-1800 9-9-9 那麼明顯,筆者會建議用家以 DDR3-2133 CL 10-11-10 作為 24 x 7 長時間運作設定,記憶體寫入性能為 32.8GB/s 、讀取性能為 32.0GB/s ,拷貝為 28.8GB/s 。對於追求高性能玩家來說,目標當然是放在 DDR3-2400 CL11-12-12 ,所需電壓將大幅提升,雖然 Micron 新 D9 顆粒仍然保持吃壓特性,但用家需確保機箱散熱對流效果理想,否則可能無法保持長期穩定運作。

 

Adata

 

延遲值方面, ADATA 「 AX3U1600W8G9-BB 」記憶體在 XMP 預設值下記憶體延遲約為 53.3ns ,在不加壓僅修改為 1T 下可運作於 DDR3-1800 速度則降至 48.5ns ,由於再進一步提升記憶體時脈,需要調整延遲值作出配合,因此記憶體延遲表現並沒有像 DDR3-1600 提升至 DDR3-1800 來得明顯。

 

由於 DDR3-2133 提升至 DDR3-2200 的時脈幅度較少,但卻卡在 CL 值的牆壁之間需要降至 CL11 ,因此 DDR3-2200 的記憶體延遲幾近沒有成長,由 45.4ns 只輕微降至 45.3ns ,相反 DDR3-2200 與 DDR3-2400 之間則有明顯差異,由 45.3ns 降至 43.34ns ,是繼 DDR3-1600 提升至 DDR3-1800 以來性能提升最大的幅度。

 

Adata

 

記憶體頻寬方面, ADATA 「 AX3U1600W8G9-BB 」記憶體在 XMP 預設值下為 21.59GB/s ,在不加壓僅修改為 1T 下可運作於 DDR3-1800 速度提升至 22.45GB/s 。

 

從測試可以看到記憶體頻寬十分著重要 Timing 設定,儘管記憶體時脈進一步提升,但用家需要調整延遲值作出配合,因此記憶體時脈下升對記憶體資料總吞吐量的成長較不明顯。

 

建議售價︰ HK$ 1299 (2014-08-03)

代理商︰ Hornington

 

編輯評語︰

 

對於追求穩定的遊戲玩家來說,筆者會建議採用 XMP 設定並把時脈提升至 DDR3-1800 9-9-9-24 1T ,絕大部份 Micron D9QBJ 模組都可以在不加壓下作 24x7 運作。在性能與穩定之間作出平衡,筆者會建議運作於 DDR3-2133 C10-11-10-28 1T ,而進階超頻玩家則可考慮超頻至 DDR3-2400 ,在有效的散熱下要穩定長行並沒有問題,但 DDR3-2400 以上是新「 D9 」的時脈牆,就算在極冷下也不易穩定運作。

 

昔日 D9 憑著低延遲值和吃壓的特性,稱霸了 DDR2 及 DDR3 前期,只可惜顆粒受限於時脈提升而被其他顆粒所取代, ADATA 這次採用了被稱為新「 D9 」的 Micron D9QBJ 顆粒,進軍 DDR3-1600 入門級玩家市場,並以一定的超頻能力作賣點,相對於現時主流市面上 8GB 模組採用 Hynix AFR 或是 Hynix MFR , ADATA 「 AX3U1600W8G9-BB 」記憶體採用了 Micron D9QBJ 擁有較佳的延遲值在性能上力壓 Hynix 系顆粒,對於追求高容量與性能的玩家來說,將會是一個高性價比的記憶體模組不俗之選。

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