2014-08-27
RipjawsX DDR3-1600 C7登場
G.SKILL F3-12800CL7D-8GBXM
文: John Lam / 評測中心


G.SKILL 針對主流級玩家市場,推出全新 RipjawsX DDR3-1600 CL7 8GB Kit 模組,型號為「 F3-12800CL7D-8GBXM 」,廠方把 SAMSUNG gDDR3 繪圖卡記憶體顆粒,應用於主流級 DDR3-1600 記憶體模組產品中,除了達成 CL7 超低延遲值外,更擁有大幅度的時脈提升空間,為 G.SKILL 進軍香港市場打響頭炮。

 



測試平台︰

 

1600 C7

 

測試平台為 ASROCK Z97 OC Formula 主機板配搭 Intel Core i7-4790K 處理器,繪圖卡採用 GALAXY GeForce GT 630 ,作業系統則採用 Microsoft Windows 8.1 ,每一組記憶體設定必要經過 AMT64 測試檢定才當成測試成功。

 

AMT64 測試︰

 

AMT64
Advanced Module Test 64Bit V10 記憶體檢測

 

AMT64 (Advanced Module Test 64Bit) 測試是現時各大記憶體模組廠商採用的測試標準,用作檢出模組顆粒品質及相容性的硬體測試卡,透過 12 個不同的資料讀寫 Loop Pattern 測試,可以分辨出模組無法通過測試的顆粒,是工廠級的記憶體測試。

 

G.SKILL 「 RipjawsX F3-12800CL7D-8GBXM 」記憶體模組擁有不俗的超頻空間,雖然 XMP 預設為 DDR3-1600 7-8-8-24 2T ,但在修改為 1T 並不加任何電壓下可以完成 AMT64 測試。

 

由於 G.SKILL 的 XMP Sub-Timing 設定十分緊,因此用家需要自行修改 Sub-Timing 以配合記憶體時脈的上升, SAMSUNG K4W2G0846P-HC15 顆粒碰到無法進一歩提升時脈,首要關鍵是 tRCD 時序,緊接是 tRP 與 tRAS ,最後才選擇放鬆 CL 值。

 

Secondary Timings 方面,由於 XMP 設定把 REF Cycle Time 預設為 128 ,當時脈上升時需要把該數值放鬆一點,否則需要較大的電壓才能通過測試並且容易導致系統不穩定,同時亦要修改 Tertiary Timing 的 tRDWR 、 tRDWR_dr 及 tRDWR_dd 作出配合。

 

1600 CL7

 

測試主要基於合埋的時序及盡量不大幅度提升電壓下,測試記憶體模組的超頻空間,「 RipjawsX F3-12800CL7D-8GBXM 」在 DDR3-1800 下需要把時序修改成 (CL8-9-9-24 1T) ,同時 tRDWR 、 tRDWR_dr 及 tRDWR_dd 需要由 8 提升至 9 作出配合,電壓可保持不變下完成 AMT 測試,進一步提升至 DDR3-1866 需要把 tRCD 修改至 10 變成 (CL8-10-9-24 1T) ,電壓輕微上升至 1.52V 完成 AMT 測試。

 

DDR3-2000 是 SAMSUNG K4W2G0846P-HC15 顆粒首個時脈牆,需要把時序修改成 (CL9-10-9-28 1T) ,同時 DRAM REF Cycle Time 需要由 128 調高至 144 , tRDWR 、 tRDWR_dr 及 tRDWR_dd 需要由 9 提升至 10 作出配合,工作電壓需上升至 1.56v 才能通過 AMT 測試。

 

進步提升至 DDR3-2133 則需要把 tRCD 提升至 11 變成 (CL9-11-10-28 1T) ,工作電壓需上升至 1.6v 完成 AMT 測試,由於 DDR3-2133 與 DDR3-2200 之間差距較近,因此僅需把電壓提升至 1.62V 便可完成 AMT 測試。

 

進一歩超頻至 DDR3-2400 將會接近巨大的時脈牆,需要把時序修改成 (CL10-12-11-28 1T) ,同時 DRAM REF Cycle Time 需要由 144 調高至 162 , tRDWR 、 tRDWR_dr 及 tRDWR_dd 需要由 10 提升至 11 作出配合,工作電壓需上升至 1.67v 才能通過 AMT 測試。

 

如果要進一步提升時脈需要幅鬆 Timing 及大幅提升工作電壓,在 DDR3-2600 下需要把時序修改成 (CL11-13-12-31 1T) , DRAM REF Cycle Time 需要由 162 調高至 196 , tRDWR 、 tRDWR_dr 及 tRDWR_dd 需要由 11 提升大幅提升至 16 作出配合,工作電壓需要提升至 1.76V 才能穩定,在執行 AMT 測試後記憶體模組溫度明顯上升。

 

由於 K4W2G0846P-HC15 採用較新的 30nm 制程,並不像舊制程般吃電,提升電壓可望把 Timing 收緊以提升性能,但顆粒在 DDR3-2500 ~ DDR3-2666 出現時脈牆,在 DDR3-2600 以上速度再提升電壓並無助於進一步提升運作時脈。如果用作 24 X 7 長時間運作,建議使用超頻至 DDR3-2200 ~ DDR3-2400 以達至效能最佳化。

 

Memory Perforamce Test :

 

1600 C7

 

G.SKILL 「 RipjawsX F3-12800CL7D-8GBXM 」記憶體模組在 XMP 預設值下,記憶體寫入性能為 25.04GB/s 、讀取性能為 24.36GB/s ,拷貝為 23.94GB/s 。在不加壓下可運作於 DDR3-1800 8-9-9-24 1T ,記憶體寫入性能為 28.37GB/s 、讀取性能為 27.68GB/s ,拷貝為 27.06GB/s ,性能提升約 10-15% 。

 

當用家提升記憶體模組時脈,需要調整延遲值作出配合,性能成長幅度無法像 DDR3-1600 7-8-8 直接超至 DDR3-1800 8-9-9 那麼明顯,筆者會建議用家以 DDR3-2133 CL 9-11-10 作為 24 x 7 長時間運作設定,記憶體寫入性能為 33.6GB/s 、讀取性能為 32.55GB/s ,拷貝為 31.54GB/s 。

 

對於追求高性能玩家來說,目標當然是放在 DDR3-2400 CL10-12-11 ,所需電壓將提升至 1.65V-1.68V 水平,但大部份超頻記憶體預設電壓均為 1.65V ,故此 1.65V-1.68V 仍屬於合理的長期運作電壓水平,記憶體寫入性能為 37.80GB/s 、讀取性能為 36.27GB/s ,拷貝為 35.23GB/s 。

 

儘管記憶體在 1.76v 下可通過 DDR3-2600 測試,但對於 24 x 7 用家來說比較冒險,因為電壓提升後記憶體發熱量上升,用家必需要確保機箱散熱對流效果理想,否則可能無法保持長期穩定運作。

 

1600 C7

 

延遲值方面, G.SKILL 「 RipjawsX F3-12800CL7D-8GBXM 」記憶體在 XMP 預設值下記憶體延遲約為 52.4ns ,在不加壓僅修改為 1T 下可運作於 DDR3-1800 8-9-9 速度則降至 47.2ns ,由於再進一步提升記憶體時脈,需要調整延遲值作出配合,因此記憶體延遲表現並沒有像 DDR3-1600 提升至 DDR3-1800 來得明顯。

 

雖然 DDR3-1800 提升至 DDR3-1866 的時脈升幅較小,但卻卡在 TRCD 牆壁之間需要降至 10  ,因此 DDR3-1866 的記憶體延遲下降幅度並不明顯,由 47.2ns 只輕微降至 46.6ns ,但在 DDR3-2133 與 DDR3-2200 之間的時間較小,由於僅提升電壓在相同的時序中完成,因此記憶體延遲仍有較明顯的升幅。

 

1600 C7

 

記憶體頻寬方面, G.SKILL 「 RipjawsX F3-12800CL7D-8GBXM 」記憶體在 XMP 預設值下為 21.81GB/s ,在不加壓僅修改為 1T 下可運作於 DDR3-1800 8-9-9 速度提升至 22.64GB/s 。

 

從測試可以看到記憶體頻寬十分著重要 Timing 設定,儘管記憶體時脈進一步提升,但用家需要調整延遲值作出配合,因此記憶體時脈下升對記憶體資料總吞吐量的成長幅度會開始放緩,到達 DDR3-2600 速度時,因為需要大幅放寬延遲值,頻寬甚至出現不升反降。

 

建議售價︰ HK$750

代理商 : Felton (+852 2750-2380)

 

編輯評語︰

 

G.SKILL 「 RipjawsX F3-12800CL7D-8GBXM 」採用了 SAMSUNG K4W2G0846P-HC15 gDDR3 顆粒,把原來針對繪圖卡市場的顆粒運用於系統記憶體模組上,提供了意想不到的高性能表現及超頻能力,能夠在不加壓下運作於 DDR3-1800 8-9-9-24 1T ,並且可以在 1.65V-1.68V 下穩定超至 DDR3-2400 10-12-11-28 1T ,在性能與穩定之間作出平衡,筆者會建議運作於 DDR3-2200 C9-11-10-28 1T ,並以 1.65V 工作電壓作 24 x 7 長期運作。

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