上年底，業界正式發表全新的 MRAM 記憶體技術取代沿用的 DRAM ，採用磁阻隨機存取原理，並且其設計相容 SRAM 顆粒，其控制器無需重新設計，廠商成本下降及研發進程更具效率，有望加快進程，令 MRAM 早日面世。

MRAM (Magnetoresistive  Random Access Memory) 其採用磁阻存儲方式進行讀寫儲存，兼具 SRAM 的高速讀寫能力及 DRAM 的高集成度能力，並且於斷電後亦能保存資料。其技術理論上 MRAM 的功耗僅為 DRAM 的 30% 左右，而且其讀寫速度更快更 10 倍。

近日，日本電子元件生產商 TDK 首次展示旗下 MRAM 原型工程樣本，採用 Spin Transger Torque-type 技術，利用自旋轉換矩（ Spin-transfer Torque ）引起的電流感應式開關效應，解決 MRAM 一些常見問題。

場中， TDK 以運行 STT-MRAN 及 NOR Flash NAND 記憶體進行對照，其讀寫速度分別為 342 MB/s 及 48 MB/s ，效能數字上相距 7 倍之多，雖現時仍處於開發初期，展示的樣本僅 8Mb 儲存容量。

據了解，是次樣本由 TDK 與 美國公司 Headway Technologies 合作研發，真正量產將由 TDK 及其他代工廠負責，但 TDK 表示， MRAM 技術仍未能達至量產階段，距離商業化的時程尚有一大段距離，但其高速、長讀寫壽命、低功耗及抗幅射等特點，業界對其關注度高。