2015-02-17
Rev 1.1與Rev 3.0的差異?
GIGABYTE GA-B85M-DS3H調查報告
文: Goofy Ko / 評測中心


讀者羅先生來信投訴 GIGABYTE 主機板,採用相同產品型號卻以不同 Rev 混淆消費者,羅先生為任職公司進行 PC 系統升級,最終選擇採購「 GIGABYTE GA-B85M-DS3H 」,近日替 PC 進行 BIOS 升級時發現,首批採購回來的測試樣本為 Rev 1.1 ,正式採購卻「被升級」至 Rev 3.0 ,並指出 Rev 3.0 版本偷工省料卻用相同型號做法不合理。 HKEPC 向羅先生取得 Rev 1.1 與 Rev 3.0 兩片樣本並進行對比與測試。



Rev 1.1 與 Rev 3.0 供電設計差異


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GA-B85M-DS3H Rev 1.1 版本為 4 相供電設計

 

對比 GIGABYTE GA-B85M-DS3H 主機板 Rev 1.1 版本與 Rev 3.0 版本, Rev 1.1 版本採用較高階的 Intersil ISL95820 PWM 控制晶片支援最高 4 相供電設計,供電設計採用 4 相供電、每相 1+1 MOSFET 配搭配搭 R68 封閉式電感, MOSFET 採用 VISHAY SiRA12DP ,供電模組電容採用了台灣鈺邦 5000 小時壽命固態電容, 3 顆輸入電容是 16V 270μF 、 6 顆輸出電容是 6.3V 560μF 。

 

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GA-B85M-DS3H Rev 3.0 版本刪減為 3 相供電設計, MOSFET 與電容數目減少

 

Rev 3.0 版本改為 Intersil ISL95812 PWM 控制晶片最高 3 相供電設計,供電設計由 4 相降至 3 相供電、每相同樣為 1+1 MOSFET 配置配搭 R68 封閉式電感,雖然少了一相供電但 MOSFET 改用 On Semiconductor 的 NTMFS4C08N ,規格上相較 SiRA12DP 提供較高的電流轉換,以彌補供電相位減少。

 

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圖左 Rev 1.1 採用 Intersil ISL95820 PWM 晶片、圖右 Rev 3.0 採用 Intersil ISL 95812PWM 晶片

 

Rev 3.0 供電模組電容亦有所不同,輸入電容同樣採用台灣鈺邦 5000 小時壽命的 16V 270μF 固態電容,但數量由 3 顆減少至 2 顆,輸出電容則改用日系 NCC 的 2000 小時壽命 PXE 系列,同樣為 6.3V 560μF 但數量由 6 顆減少 4 顆。

 

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Rev 1.1 全板統一採用鈺邦 5000 小時壽命固態電容、 Rev 3.0 部份電容改用日化 NCC2000 小時壽命 PXE 電容

 

除了供電模組電容作出刪減, Rev 1.1 與 Rev 3.0 於 CPU Socket 中央的貼片電容數量亦不相同, Rev 1.1 版本的 CPU Socket 中央擁有 27 顆貼片電容, Rev 3.0 版本採用同樣的貼片電容但數目刪減至 17 顆,這些貼片電壓主要為 CPU 內部提供穩壓及濾波作用,減低雜訊造成高頻聲噪的可能。

 

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相較圖左 Rev 1.1 版本, Rev 3.0 版本的 CPU Socket 中央的貼片電容數量明顯刪減

 

供電相位減少令供電模組對於負載的波動反應較慢,同時會產生較大雜訊 (Ripple) ,除了影響系統穩定性,更可能導致元件產生令人煩躁的高頻噪音。同時,由於 MOSFET 數量減少令每顆需承受更高負載,元件溫度因此提高但散熱面積卻較小,當 MOSFET 長時間處於高溫運作,對元件壽命及穩定性帶來一定影響。

 

供電模組及處理器 Socket 電容數目刪減,意味著其穩壓及濾波能力相對下降,面對突如其來的功耗變化,其可提供的儲電容量減少,同時反應速度亦會降低,單顆電容需承受更大負載,工作溫度亦相對提升,溫度上升將影響電容壽命,而部份電容規格由 5000 小時壽命,改由規格僅 2000 小時的電容代替,對於針對商用市場的 B85 主機板來說,耐久表現會否受影響成為疑問。

 

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