2015-02-17
Rev 1.1與Rev 3.0的差異?
GIGABYTE GA-B85M-DS3H調查報告
文: Goofy Ko / 評測中心


讀者羅先生來信投訴 GIGABYTE 主機板,採用相同產品型號卻以不同 Rev 混淆消費者,羅先生為任職公司進行 PC 系統升級,最終選擇採購「 GIGABYTE GA-B85M-DS3H 」,近日替 PC 進行 BIOS 升級時發現,首批採購回來的測試樣本為 Rev 1.1 ,正式採購卻「被升級」至 Rev 3.0 ,並指出 Rev 3.0 版本偷工省料卻用相同型號做法不合理。 HKEPC 向羅先生取得 Rev 1.1 與 Rev 3.0 兩片樣本並進行對比與測試。



 Rev 1.1 與 Rev 3.0 的 Turbo Power Limit 差異

 

為找出 Current Limit Throttling 原因, HKEPC 擷取了 CPU 的 MSR 設定值作對比,發現 GIGABYTE GA-B85M-DS3H Rev 1.1 與 Rev 3.0 版本的 BIOS Default Setting ,對於 Turbo Power Limits 的預設值有不同定義,造成兩個 Rev 版本在性能上存在差異,在沒有對照下,一般用家很難發現 Current Limit Throttling 問題。

 

Rev
GA-B85M-DS3H Rev 1.1 的 Turbo Power Limits 預設值

 

Turbo Power Limits 是 Intel Turbo Boost 的電源管理設定值,直接影響處理器的 Turbo Boost 性能表現,上圖為 GIGABYTE GA-B85M-DS3H Rev 1.1 的 BIOS Default Auto 預設值,短暫 Package Power Limits 為 4090W ,長時間的 Package Power Limits 為 3408W ,其實這樣大的數值代表產品沒有 Package Power Limits 限制。

 

同樣地, Primary Plane Power Limits 的 PP0 Power Limit 為 4090A , PP0 Current Limit 為 1000A ,同樣意味著 GA-B85M-DS3H Rev 1.1 主機板沒有加入 CPU Current Limit 及 CPU Power Limit 限制。

 

對比 GA-B85M-DS3H Rev 3.0 的 BIOS Default Auto 預設值,很難讓人理解為何相同型號會出現如此巨大的差異,短暫 Package Power Limits 為 105W ,長時間的 Package Power Limits 為 84W ,當 CPU 的功耗超越這些數值時就會出現 Throttling 情況。

 

Primary Plane Power Limits 方面, GA-B85M-DS3H Rev 3.0 並沒有特別定義 PP0 Power Limit ,因為 PP0 Current Limit 已被設定至只有 95A ,基本上還未碰到 Power Limit 就已經出現 Current Limit Throttling 過流負載限速,因此造成 GA-B85M-DS3H Rev 3.0 出現性能不及 Rev 1.1 的窘境。

 

HKEPC 以手動設定方式,把 Rev 1.1 的 Turbo Power Limits 預設值套入 Rev 3.0 , Rev 版本的性能差距將會消失,如閣下購入了 Rev 3.0 版本,可以嘗試用此方法修正 Current Limit Throttling 問題。

 

就 GA-B85M-DS3H Rev 1.1 與 Rev 3.0 Turbo Power Limits 預設值差異,向 GIGABYTE 總公司作出查詢, GIGABYTE 並沒有正式回應問題,僅強調 GA-B85M-DS3H Rev 1.1 與 Rev 3.0 均符合 Intel Turbo Boost 規格。

 

Rev
GA-B85M-DS3H Rev 3.0 的 Turbo Power Limits 預設值

 

元件溫度測試 :

 

Rev

針對 Rev 1.1 與 Rev 3.0 供電模組的 MOSFET 及電容工作溫度作出測試

RevRev

 

GA-B85M-DS3H Rev 1.1 與 Rev 3.0 雖然型號相同,但 Rev 1.1 採用 4 相供電設計與 Rev 3.0 的 3 相供電設計,在工作溫度上為何會出現明顯差異呢 ? HKEPC 採用 Contact Type Thermometers 配 Thermography 儀器,用作監測 Rev 1.1 與 Rev 3.0 在 CPU 進入完全負載下,供電模組的 MOSFET 、 R68 電感與電容溫度的差異。

 

Rev

 

 Power
     MOSFET    
R68
    Choke    
16V 270μF
Capacitor
6.3V 560μF
Capacitor
Rev 1.163.8C43.7C46.3C54.2C
Rev 3.071.8C49.6C51.9C59.2C

 

HKEPC 實驗室的環境室溫為 23°C ± 0.5 ,在 CPU 閒置約 10 分鐘, GA-B85M-DS3H Rev 3.0 的 MOSFET 表面溫度約為 42.4ºC ,相較 Rev 1.1 版本的 MOSFET 表面溫度高 5.3ºC ,當 CPU 進入完全負載後, GA-B85M-DS3H Rev 3.0 的 MOSFET 溫度上升速度較 Rev 1.1 快,反映 Rev 3.0 相數減少令每顆 MOSFET 負載較高。

 

經過一小時 CPU 完全負載, GA-B85M-DS3H Rev 3.0 的 MOSFET 工作溫度約為 71.8ºC ,相較 Rev 1.1 版本 MOSFET 表面溫度高 8ºC 。除了 MOSFET 外, Rev 3.0 版本供電模組的 R68 電感、電容工作溫度亦較 Rev 1.1 高,值得注意是, 上述 Rev 3.0 供電模組溫度是在 PP0 Current Limit 只有 95A 下錄得, CPU 負載測試時脈僅運作於 3.6GHz , CPU Cache 被限速至 1.4GHz 。

 

當 Rev 3.0 解除 Current Limit

 

如果把 GA-B85M-DS3H Rev 1.1 的 Turbo Power Limits 預設值套用在 Rev 3.0 版本中,手動解除了 PP0 Current Limit 95A 限制,供電模組的工作溫度將會進一步上升, CPU 完全負載 10 分鐘後, MOSFET 溫度已達 74.5ºC ,相較 Rev 1.1 版本測試結果高出 12ºC ,而且溫度在完全負載 1 小時中並沒有出現溫度平衡點,意味著 MOSFET 的溫度仍會隨著時間而上升。

 

由於現時香港氣溫仍然寒冷,當進入夏季室溫必然有所提升,如果放進機箱中其溫度必然更高,但 HKEPC 未能因此而推斷 GIGABYTE 是因為 Rev 3.0 版本供電相位減少,改變 Turbo Power Limits 的預設值,但 Rev 1.1 供電模組的溫度表現相較 Rev 3.0 是不爭的事實。

 

 

Rev

 

 

 Power
     MOSFET    
R68
    Choke    
16V 270μF
Capacitor
6.3V 560μF
Capacitor
Rev 3.0
71.8C49.6C51.9C59.2C
Rev 3.0*
79.8C55.6C54.4C62.1C

*.Rev 1.1 的 Turbo Power Limit 設定值

 

調查報告結果 :

 

由於主機板市場競爭激烈,廠商們會考慮 Cost Down 以提升競爭力無可厚非,但使用相同的產品名稱卻推出不同的 Rev 版本, Rev 版本之間存在如此巨大差異, GIGABYTE 官方網站中的產品功能比較表,卻完全無法反映 Rev 之差異,做法難以消除公眾疑慮。

 

HKEPC 於 2015 年 2 月 5 日發信向 GIGABYTE 作出查詢,希望事件得到 GIGABYTE 官方回應,包括 GIGABYTE 在制定 Rev 版本時的考量與規則,為何 Rev 1.1 與 Rev 3.0 版本有如此大差異 ? 為何不改換其他型號讓消費者更易識別 ? 不同的 Rev 版本為何使用相同的 EAN Code ? 及後再透過 GIGABYTE 香港代理商要求官方答案, GIGABYTE 直至截稿前仍沒有主動回應, HKEPC 感到十分失望。

 

HKEPC 認為消費者主要以型號分辦主機板規格差異,根本不會特別注意到 Rev 版本,而且 EAN 國際商品條碼完全一樣,連本港零售業者都可以不清楚有不同 Rev 存在。 GIGABYTE 頻頻改版,又沒有作出完整的說明,做法有欠恰當,如果用料、規格存在大幅調整,是否應該考慮更改型號 ? 一般產品對用料是隱性規格,但主機板的 PC 零組件卻不一樣,用料絕對是消費者購買時的重要資料之一。

 

建議 GIGABYTE 應避免造成與消費者之間認知的差異,尤其是 GIGABYTE 一向以超耐久作為賣點,品質要求理應更高,對於消費者要有負責的態度,才是品牌經營長久之道。

 

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