Samsung 日前在 ISSCC 2015 研討會上公布了第二代 3D V-NAND 的部份細節，並為新一代 3D V-NAND 的優化項目作出解釋，第二代 3D V-NAND 與上一代的差別，最主要是面積及密度上的分別，同一面積下的容量密度提升幅度超過兩倍，非常誇張。

上一代的 V-NAND 採用 MLC 設計，堆疊層數為 24 層，每 128Gbit 容量時所需佔用的面積大約 133 平方毫米 (133mm²) ，而今次的第二代 3D V-NAND 就採用 TLC 設計，層數方面增加至 32 層，在同樣 128Gbit 容量時只佔用 68.9mm²，密度上大幅提升 2 倍左右。

3D V-NAND 擁有多個優勢，過往 MLC 達到一定儲存密度後會對附近的儲存單元產生電荷干擾，而 TLC 就針對這個問題分拆電荷部份，但 3D V-NAND 的技術就能夠直接省去分拆部份，直接將多個編程整合成一個再寫入，令整個流程時間大幅減少，且功耗亦順帶降低 40% 。

Samsung 接下來推出的 850EVO 固態硬碟就正正使用這個新技術，將會提供 120GB 、 250GB 、 500GB 及 1TB 選擇，而且最高讀寫速度更會提升至 540MB/s 及 520MB/s ，比上代 840EVO 更快。