2015-05-13
DDR4-3400 16GB Kit登場
G.SKILL F4-3400C16Q-16GRBD模組
文: John Lam / 評測中心


G.Skill 針對 Intel X99 平台推出全新 Ripjaws 4 系列 DDR4-3400 16GB Kit 記憶體模組,型號為「 F4-3400C16Q-16GRBD 」,採用最頂級 SAMSUNG DDR4 顆粒並支援 Intel 全新 XMP 2.0 技術,在 XMP 設定下僅 1.35V 即可達成 DDR4-3400 CL16 ,為追求終極性能的玩家們提供最大化效能表現。



效能測試:

 

F4-3400C16Q

 

測試平台為 ASUS Rampage V Extreme 主機板配搭 Intel Core i7-5960X 處理器,繪圖卡採用 GALAXY GeForce GT 630 ,作業系統則採用 Microsoft Windows 8.1 ,每一組記憶體設定必要經過 AMT64 測試檢定才當成測試成功。

 

AMT64 (Advanced Module Test 64Bit) 測試是現時各大記憶體模組廠商採用的測試標準,用作檢出模組顆粒品質及相容性的硬體測試卡,透過 12 個不同的資料讀寫 Loop Pattern 測試,可以分辨出模組無法通過測試的顆粒,是工廠級的記憶體測試。

 

AMT64

 

G.SKILL 「 Ripjaws 4 F4-3400C16Q-16GRBD 」記憶體模組雖然規格已定得十分高,但產品仍保留一定的超頻空間,雖然 XMP 預設為 DDR4-3400 CL16-18-18-38 2T 、工作電壓為 1.35V ,不加任何電壓下調成 1T 能輕鬆通過 AMT64 測試。

 

F4-3400C16Q

 

由於 DDR4-3400 對於 X99 平台來說已算是非常高時脈,再進一步提升時脈的因素已不再只是記憶體模組體質,還要視乎處理器記憶體控制器體質,因此今次測試主要以降低時序為主。

 

只要略微提升記憶體工作電壓至 1.38v ,筆者成功把記憶體模組超頻至 DDR4-3400 CL16-16-16-16 1T ,而且 tWR 、 tRFC 及 tCWL 提升至 10 、 350 、 9 ,並完成了 1 小時的壓力測試,十分驚人。

 

F4-3400C16Q

 

SAMSUNG IC 雖然在極限超頻能力上無法與 HYNIX 相比,但在風冷超頻表現上卻十分理想,而且在高工作電壓下相較 HYNIX IC 更穩定,長時間期作於 1.55-1.65V 亦能保持穩定,在 1.55V 下 G.SKILL 「 Ripjaws 4 F4-3400C16Q-16GRBD 」成功超頻至 DDR4-3400 CL14-16-16-16 1T ,同樣能通過 AMT64 壓力測試。

 

Memory Performance Test :

 

F4-3400C16Q

 

F4-3400C16Q

 

由於此次測試並沒加入記憶體時脈提升,僅針對時序作出超頻測試,由於 SAMSUNG IC 的 TRCD 及 TRP 值並不會因電壓提升至降低,完全視乎 IC 體質能力而定,因此單純提升電壓以降低 CL 值,對記憶體頻寬增益並不明顯,建議用家使用 CL16-16-16 設定並把工作電壓調至 1.38-1.42v 。

 

編輯評語:

 

雖然 G.SKILL 在官網上公佈了兩款 DDR4-3400 型號,但真正能訂貨正式量產型號,暫時只有採用 SAMSUNG IC 的 Ripjaws 4 F4-3400C16Q-16GRBD ,其售價相較採用 HYNIX 顆粒的 F4-3300C16Q-16GRKD 為低,相信是兩者所針對的市場不同,前者主要針對風冷玩家市場,後者則受極限超頻玩家追捧。

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