Qualcomm 旗艦級高階 Snapdragon 810(QS810) 流動處理器備受各界批評其溫度高，引致很多採用處理器的智能手機受到牽連，引致大部份旗艦手機出現銷售欠佳的情況。

據業內人士指， Qualcomm 將加快研發下一代旗艦級 Snapdragon 820(QS820) 流動處理器以取代出現過熱問題的 QS810 ，近日已火速將樣本發往客戶進行測試，相信該 QS 820 將大力全開加快整個生產進程。

最新的 QS820 處理器效能進一步提升，將採用最新的 ARMv8 核心架構，具備 64bit 運作能力，並向後兼容 32bit 運作能力，主要集中加強電力功耗的效率轉換，其開發代號為「 Kryo 」。

此外， QS820 將會採用 3D FinFET 及 14 nm 工藝制程打造，以三維架構的 Transistors ，令電晶體佈局更為靈活 ，電晶體性能、功耗及密度等均大大優化，能有效解決過熱問題，而且有消息指出時脈將提升至 3.0GHz ，效能強悍。

過熱問題頻生的 QS810 架構圖