IBM 9 日宣佈與 GlobalFoundries 、 Samsung 及 SUNY Polytechnic Institute's Colleges 納米科技工程部攜手打造全體首枚僅 7nm 晶片原型，耗電量大幅降低外，運算速度更比現時最高能的晶片快近四倍，令市場震驚。

當現時半導體市場仍然關注那家廠商能率先進入 10nm 工藝制程的同時， IBM 突然發佈已經製作出只有 7nm 的晶片原型，無疑令市場喜出望外，雖然 7nm 晶片仍需兩年時間才進入商用，但這款晶片為全球首款低於 10nm 及首款採用 SiGe 物料的 FinFET 晶片，意義深遠。

其採用了最新混合物 Silicon Germanium (SiGe,) 物料打造，相對現時採用純矽的晶片原料， SiGe 的通斷反應更高效，而且功耗要求更低。另外，由該物料打造的 7nm 電晶體已直迫人類 DNA 的尺吋大小 ( 約 2.5nm) 。

另一方面，若電晶體逐漸接近原子尺吋時，需採用 Extreme Ultraviolet (EUV) lithography 光刻微影技術，當於 7nm 晶片上進行 EUV 刻印線路時，即使輕微的震動亦會對晶片造成破壞，製造廠商需打造成將近零震動的環境下生產。據了解，荷蘭半導體大廠 ASML Holding NV 的一台 EUV 設備約為 1.5 億美元，據稱 Intel 、 Samsung 及 tsmc 亦會導入 EUV 技術。