Intel 及 Micron 29 日聯合發佈一項記憶芯片突破性技術 - 「 3D XPoint 」，其傳輸速度介乎於 DRAM 與 NAND Flash 之間，但比後者快近千倍之多，而且斷電後亦能繼續保持數據，對未來的流動裝置的存儲提供一項全新指標。

Intel 及 Micron 最新發佈的「 3D XPoint 」記憶體技術動搖整個記憶體市場，自從 1989 年 NAND Flash 記憶體技術沿用至今，市場上仍未有新的記憶體技術能取代 NAND Flash 技術的效能，為配合大數據、雲端及物聯網時代，「 3D XPoint 」記憶體技術應運而生。

據 Intel 及 Micron 表示，「 3D XPoint 」記憶體技術相對 NAND Flash 技術傳輸速度快近 1,000 倍，面對現時海量的存儲數據，各行各業或消費者對於數據存取速度需求更高，「 3D XPoint 」更能滿現時需求。

同時，「 3D XPoint 」記憶體技術現階段仍未能與傳統 DRAM 的速度相提並論，但「 3D XPoint 」具備了斷電後亦能繼續保持數據的特點，以及比傳統 DRAM 的存儲容量高出 10 倍左右，並耐用度提升了 1,000 倍，各方面比現時的記億體技術優良。

Intel 及 Micron 現時已於合資的 IMFlash 晶圓廠進行研究及試產，將於今年內戶客戶送出樣本，以加快整個生產進程。