科技界發展一日千里，市場對 Flash  記億體的儲存容量及效能需求更為嚴格， Toshiba 4 日所發佈全球首款 48 層 BiCS 3D 推壘式架構 Flash  記億體應能滿足不同用家的需求。自 2007 年起， Toshiba 己率先推出 BiCS FLASH 技術，並將其生產程大幅優化，是次最新技術主要針對大容量儲存空間設計，對於記憶體發展加添動力。

Toshiba 最新公佈的 BiCS Flash 記億體運用最新的 48 層堆疊技術，其實現更高速的讀寫及擦除時的穩性，相對 2D 平面 NAND Flash 記憶體， 3D 堆疊式構造令其密度倍級提升，該款記億體提供 256 Gb 儲存客量，更能滿足現時對大容量的儲存需求，無論流動裝置、消費及企業級固態硬碟或記憶卡亦能應用。

據 Toshiba 表示，旗下位於日本 Yokkaichi 的新建設晶圓廠正在興建當中，將於 2016 年初完工，並主力生產最新 BiCS Flash 記億體已，有望明年中能正式出貨。此外， Toshiba 亦持續發 TLC (3-bit-per-cell) 技術，透露將於本年 9 月正式向其他廠商傳送樣本。