Samsung 10 日發佈最新開始量產第三代 V-NAND Flash 記憶體正式量產，其採用 48 層 3D Vertical NAND 推壘式架構 Flash 記憶體，其容量高達 256 Gb ，與 Toshiba 月初時推出 BiCS Flash 記憶體一拼高下。

本年 7 月底 Intel 及 Micron 聯合發佈革命性記憶體技術  - 「 3D XPoint 」，其標榜相對傳統 NAND Flash 記憶體存取速度快千倍以上，容量亦能增加十倍左右，雖然現時仍處於研發階段，但對於其他廠商來說，其競爭力足以令傳統記憶體技術受到動搖。

Toshiba 隨即於本月 4 日發佈全球首款 48 層 BiCS 3D 推壘式架構 Flash 記憶體，其容量達 256 Gb ，令市場關注。 Samsung 亦採取相應行動於 10 公開發佈旗下第三代   V-NAND (3D Vertical NAND) 記憶體，由上代 32 層 3-bit MLC 推壘至 48 層 3-bit MLC ，容量提升至 256 Gb ，能滿足現時對大容量的儲存需求。

同時， 3D Vertical NAND 技術令每個獨立記憶單元統一採用 3D Charge Trap Flash 架構，讓電荷能暫存於   Non-conductive Layer   通道上，令其互相干擾的情況大大減少，相對上代的功耗更減低 30% ，其良率亦提升 40% ，第三代 V-NAND Flash 記憶體具多項優點，相信很快將於 NAND Flash 儲存及固 SSD 市場亮相。