據市調機構 DRAMeXchange 指出，記憶體現貨市場處於淡季，成交量低迷乃為正常狀況，然現貨價與合約價近期呈現反向走勢，實較為少見。此波現貨價格沒跟上合約價上漲， DDR2 eTT 1Gb 現貨均價反自六月高點 2.15 下跌至 6/30 的 1.97 美元，跌幅約為 8.4% 。縱使合約價在六月呈現緩步墊高走勢，原廠在合約市場出現供給吃緊狀況，然現貨價自六月中旬卻逕自走跌，至上週才止跌回穩。

現貨市場之所以如此，可分供需兩方因素加以說明；供給方面，瑞晶今年以來拉高產出，使現貨市場供給量增加；在需求方面，對 DRAM 現貨價頗具影響力的中國市場，由於奧運舉辦在即，近期中國相關部門對貨物通關轉運安全檢查轉嚴，導致商品流動效率下降，部分原應供給至中國的現貨因而遞延入關。

而這些未能如期進入中國的商品，在市場上流竄造成價格疲軟，甚至使市場懷疑價格疲軟是否肇因於實質需求不振。另外，六月底適逢部分 DRAM 廠財報季底，現貨買家對原廠是否因作帳壓力而釋出庫存產生疑慮，亦使得買方收手觀望。

據 DRAMeXchange 認為，上述幾個原因中，瑞晶投片量大幅增加時間在上半年，第二季產能達滿載，第三季再增加的幅度有限；中國方面，只要不是實質需求不振，奧運後 DRAM 供需透過市場機制將再趨正常；至於季底作帳因素，至今亦告一段落。

另外目前合約高於現貨的價差，使 OEM 採購觸角延伸至原以現貨市場及模組廠為主要供應對象的 DRAM 廠，待認證通過，當採購量足夠時，將有助於現貨市場供給消化。基於上述理由，除非需大幅低於預期，現貨價下跌空間有限，未來再回檔或盤整後，預期將繼續上漲， DRAMeXchange 預估 1Gb eTT 指標顆粒在第三季將有 10 ~ 20% 上漲空間。