Qualcomm 17 日宣佈下一代旗艦流動處理器 - Snapdragon 835 (QS835) 正式投產，預計內建 QS 835 的裝置將於 2017 年上半年面世，該處理器由 Qualcomm 及 Samsung 共同開發，據稱採用 10 nm 工藝制程製造，並加入 Quick Charge 4.0 快充技術。

市場上主流高階手機 / 平板大部份均採用 Qualcomm Snapdragon 821 處理器，但很快將會改朝換代，因 Quclomm 近日發出消息指下代 Snapdragon 835 已經開始量產，由 Samsung 代工，將於 2017 年上半年正式面世。

暫時仍未公佈具體細節，據現時所知 QS835 將會進一步採用 10nm 工藝制程，意味內部更加精密及微細，晶片封裝比 14nm 晶片減少達 30% ，有利開發者架設更佳硬件佈局。同時，效能上亦得到 27% 的提昇，功耗方面更減低 40% ，整體有利流動裝置的發展。

同時，新處理器加入了最新 Quick Charge 4.0 快速充電技術，據稱充電 5 分鐘可延長 5 小時使用時間，為用家提供更高效的充電效率，解決流動裝置電池續航力較低的問題。另外， QC 4.0 支援 USB-C 及 USB PD ，兼容度高，並採用了 Intelligent Negotiation for Optimum Voltage ( 智能協調最佳電壓 ) 技術，能有效防止過熱問題出現，預防充電時爆炸的問題。