Qualcomm 上月正式透露即將推出 2017 年高階行動處理器 - Snapdragon 835 ，高調表示該處理器為業界首款採用 10nm 工藝製程處理，效能功耗大幅優化，雖然官方尚未正式公佈規格，但市場人士已得到該平台，並已進行評測，一賭為快。

Qualcomm Snapdragon 835 由 Qualcomm 及 Samsung 共同開發，率先採用 10nm 工藝制程，官方表示，晶片封裝比 14nm 晶片減少達 30% ，效能上亦得到 27% 的提昇，功耗方面更減低 40% ，更加入 Quick Charge 4.0 快速充電技術，整體令人期待。

據市場人士表示，相對近兩代均採用四核心為高階處理器構架的藍圖， Snapdragon 835 改用 8 組處理核心構成，時脈為 2.2GHz ，內建 Adreno 540 GPU ，繪圖效能比 Snapdragon 821 亦提升 30% ，效能頂級。

10nm 工藝制程 Centriq 2400

另外，有市場人士已率先得到配備 Snapdragon 835 處理器的樣本手機，內建 4GB RAM 及運行 Android 7.0 系統，據 Antutu 得分顯示，該手機得分超 18 萬分，相對一直位居榜首的 Apple A10  (17 萬分左右 ) 更高出 1 萬分左右，顯示性能強悍。下代 Snapdragon 835 已經開始量產，將於 2017 年上半年正式面世。

另一方面， Qualcomm 還備有另一款 10nm 處理器 - Centriq 2400 ，其定位數據中心設計，最高可配置 48 個 ARMv8 可相容定制內核 - Qualcomm Falkor CPU ，內核針對數據中心常規運作負載作出加強，實現高性能與低功耗，據了解，已向主要客戶運送樣本，將 2017 年下半年正式商用化。