Toshiba 在近日發佈了全球首款的 QLC NAND Flash ，為一款採用 BiCS FLASH 架構的 3D NAND 記憶體晶片，全新的 BiCS FLASH 是第一個提供 4-bit-per-cell 單元技術的產品，性能能夠超越了 TLC 設備，單顆容量可以做到 768Gb(32GB) ，日後將能為用家帶來容量更大、更低成本的 SSD 產品。

據 Toshiba 指出 ，全新推出的 QLC 技術能為現時的記憶體市場帶來了一系列新技術及挑戰， Multi-bit cell 多位單元記憶體透過管理每個儲存單元中的電子數來儲存數據， QLC NAND 在相同的電子數目內增加一個 bit-per-cell 單位比特數，為現時 TLC 技術的兩倍， Toshiba 利用其全新的記憶體技術，採用先進的電路設計及業界領先的 64 層 3D NAND 製程技術，打造了全新的 QLC 3D NAND Flash 。

採用 64 層 3D NAND 製程技術的 QLC Prototype ，擁有世界最大的晶片容量 768 gigabits/96 gigabytes ， QLC 3D NAND Flash 還能於 1.5 TB 容量中採用單個封裝及支援具有 16-die 堆疊架構。由於 QLC 採用了 4-bit-per-cell 設計，每個單元內都有多達 16 種不同的電壓狀態，相較 TLC NAND 更多。另外為了避免讀寫錯誤，主控搭配 QLC NAND 時也必須支援更高級的 ECC 除錯，故此 Toshiba 亦提供了自家的 QSBC 除錯技術，並擁有多達 1000 次左右的 P/E Cycle 。

Toshiba 表示， 全新 64 層 256-gigabit (32 GB) 記憶體產品已在量產階段，並將繼續推動全新技術及進行更全面的開發，全新的 QLC 產品會專注於滿足日益增長的高密度、更小晶片尺寸的記憶體解決方案的需求，並會應用於企業級 SSD 、消費型 SSD 及儲存記憶卡等產品之中。