為了滿足日益增長的半導體及顯示器需求， Samsung 在 4 日宣佈位於南韓平澤的新半導體生產線已投入服務及開始量產，並將其第一批產品運送給客戶，全新的設備將專注於 Samsung 第四代 64 層 V-NAND 的生產，預計能夠讓 Samsung 保持在儲存產品的領先能力。

據了解， Samsung 已經開始量產新一代 64 層 256Gb V-NAND FLASH ，全新產品將用於擴展伺服器、 PC 及移動應用的儲存解決方案，並將在未來拓展至嵌入式 UFS 快閃記憶體、品牌 SSD 及外部儲存記憶卡之中。

Samsung 全新 64 層 3-bit 256Gb V-NAND 具有 1Gbps 的數據傳輸速度，是目前 NAND FLASH 中最快的速度，並具有業界最短的 500 微秒（㎲）的頁面編程時間（ tPROG ），比典型 10nm 的平面 NAND FLASH 高出約四倍，比 Samsung 最快的 48 層 3-bit 256Gb V-NAND FLASH 的速度快了約 1.5 倍。

與之前的 48 層 256Gb V-NAND 相比，新的 64 層 256Gb V-NAND 增加了超過 30% 的生產率，同時 64 層 V-NAND 的電路具有 2.5V 的輸入電壓，相比 48 層 V-NAND 的 3.3v 電壓，能量效率提高了約 30% ，新 V-NAND 電池的可靠性與其前代相比亦增加了約 20% 。

面對 IoT 物聯網應用、 AI 人工智能、 Big Data 大數據及汽車技術等近期新興 IT 趨勢對下一代組件的需求急劇增加， Samsung Electronics 及 Samsung Display 計劃通過向全球生產設備投資 37 萬億韓元加強其製造能力。到 2021 年， Samsung 將在目前的平澤線投資 30 萬億韓元，以擴大其半導體製造能力。

Samsung 還計劃在韓國華城投資 6 萬億韓元，為半導體生產線進行優化，以安裝最先進的基礎設施，包括 Extreme Ultra Violet （ EUV ）設備，同時 Samsung Display 亦正計劃 2018 年在韓國牙山市建立一個新的 OLED 生產工場。