Samsung 在 18 日宣布為了滿足不同領域的市場需求，包括 AI 人工智能、 HPC 高性能運算、高圖像處理、網絡系統、企業伺服器等，積極提高 8GB HBM2 晶片的產能， HBM2 記憶體提供 256GB/s 的數據傳輸，是目前最快的 DRAM 晶片，並正使用於 AMD 及 Nvidia 的高端繪圖卡之中。

其實， Samsung 並非唯一一家製造 HBM2 晶片的公司，對手 SK Hynix 亦有生產 HBM2 晶片， Samsung 則強調，其生產的 8GB HBM2 晶片在業界提供最佳的能源效率、性能及可靠度， Samsung 8GB HBM2 記憶體是由 8 顆 8Gb Die 封裝組成，並在底部設置了一個緩衝 Die ，整個封裝具有超過 40,000 個 TSV(Through Silicon Via) 矽穿孔，並以 Microbump 技術垂直串聯，不僅能夠提高數據傳輸性能，同時不會出現過熱的情況。

據了解， NVIDIA 為 Samsung 其中一個使用 HBM2 繪圖記憶體的廠商，旗下推出的 Tesla P100 、 Quadro GP100 等型號均搭載 16GB HBM2 。 AMD 同樣亦有在 Radeon Instinct MI25 、 Radeon Vega Frontier Edition 用上 16GB HBM2 ，至於在快將推出的 Radeon RX Vega 同樣亦會內建 HBM2 ，但使用的產品則來自 SK Hynix 。

Samsung 在 2016 年 6 月首次推出的 HBM2 ，擁有 256GB/s 的數據傳輸頻寬，比 32GB/s 的 GDDR5 DRAM 晶片增加了七倍之多。在日益增長的市場需求下， Samsung 預計 8GB HBM2 的批量生產將在明年上半年覆蓋其 HBM2 產量的 50% 以上。